توضیحات
This book offers, from both a theoretical and a computational perspective, an analysis of macroscopic mathematical models for description of charge transport in electronic devices, in particular in the presence of confining effects, such as in the double gate MOSFET. The models are derived from the semiclassical Boltzmann equation by means of the moment method and are closed by resorting to the maximum entropy principle. In the case of confinement, electrons are treated as waves in the confining direction by solving a one-dimensional Schrdinger equation obtaining subbands, while the longitudinal transport of subband electrons is described semiclassically. Limiting energy-transport and drift-diffusion models are also obtained by using suitable scaling procedures. An entire chapter in the book is dedicated to a promising new material like graphene. The models appear to be sound and sufficiently accurate for systematic use in computer-aided design simulators for complex electron devices. The book is addressed to applied mathematicians, physicists, and electronic engineers. It is written for graduate or PhD readers but the opening chapter contains a modicum of semiconductor physics, making it self-consistent and useful also for undergraduate students.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
این کتاب، از دیدگاه نظری و محاسباتی، تحلیلی از مدلهای ریاضی ماکروسکوپی را برای توصیف انتقال بار در دستگاههای الکترونیکی، بهویژه در حضور اثرات محدود، ارائه میدهد. مانند ماسفت دو دروازه. مدل ها از معادله نیمه کلاسیک بولتزمن با استفاده از روش ممان استخراج شده و با توسل به اصل آنتروپی حداکثر بسته می شوند. در مورد محصور شدن، الکترون ها به عنوان امواج در جهت محدود با حل معادله شردینگر یک بعدی برای به دست آوردن زیر باندها رفتار می شوند، در حالی که انتقال طولی الکترون های زیر باند به صورت نیمه کلاسیک توصیف می شود. مدلهای محدودکننده انتقال انرژی و رانش- انتشار نیز با استفاده از روشهای مقیاسبندی مناسب بهدست میآیند. یک فصل کامل از کتاب به ماده جدیدی مانند گرافن اختصاص داده شده است. به نظر می رسد این مدل ها برای استفاده سیستماتیک در شبیه سازهای طراحی به کمک رایانه برای دستگاه های پیچیده الکترونی، صحیح و به اندازه کافی دقیق هستند. مخاطب این کتاب ریاضیدانان کاربردی، فیزیکدانان و مهندسی
tag : دانلود کتاب انتقال بار در ساختارهای نیمه هادی با ابعاد کم: رویکرد آنتروپی حداکثر , Download انتقال بار در ساختارهای نیمه هادی با ابعاد کم: رویکرد آنتروپی حداکثر , دانلود انتقال بار در ساختارهای نیمه هادی با ابعاد کم: رویکرد آنتروپی حداکثر , Download Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures: The Maximum Entropy Approach Book , انتقال بار در ساختارهای نیمه هادی با ابعاد کم: رویکرد آنتروپی حداکثر دانلود , buy انتقال بار در ساختارهای نیمه هادی با ابعاد کم: رویکرد آنتروپی حداکثر , خرید کتاب انتقال بار در ساختارهای نیمه هادی با ابعاد کم: رویکرد آنتروپی حداکثر , دانلود کتاب Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures: The Maximum Entropy Approach , کتاب Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures: The Maximum Entropy Approach , دانلود Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures: The Maximum Entropy Approach , خرید Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures: The Maximum Entropy Approach , خرید کتاب Charge Transport in Low Dimensional Semiconductor Structures: The Maximum Entropy Approach ,
برای فرستادن دیدگاه، باید وارد شده باشید.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.