توضیحات
This monograph solely presents the Fowler-Nordheim field emission (FNFE) from semiconductors and their nanostructures. The materials considered are quantum confined non-linear optical, III-V, II-VI, Ge, Te, carbon nanotubes, PtSb2, stressed materials, Bismuth, GaP, Gallium Antimonide, II-V, Bi2Te3, III-V, II-VI, IV-VI and HgTe/CdTe superlattices with graded interfaces and effective mass superlattices under magnetic quantization and quantum wires of the aforementioned superlattices. The FNFE in opto-electronic materials and their quantum confined counterparts is studied in the presence of light waves and intense electric fields on the basis of newly formulated electron dispersion laws that control the studies of such quantum effect devices. The importance of band gap measurements in opto-electronic materials in the presence of external fields is discussed from this perspective. This monograph contains 200 open research problems which form the very core and are useful for Ph. D students and researchers. The book can also serve as a basis for a graduate course on field emission from solids.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
این تک نگاری صرفاً انتشار میدان فاولر-نوردهایم (FNFE) از نیمه هادی ها و نانوساختارهای آنها را ارائه می دهد. مواد در نظر گرفته شده نوری غیرخطی محدود کوانتومی، III-V، II-VI، Ge، Te، نانولوله های کربنی، PtSb2، مواد تحت تنش، بیسموت، GaP، گالیوم آنتیموناید، II-V، Bi2Te3، III-V، II- هستند. ابرشبکه های VI، IV-VI و HgTe/CdTe با رابط های درجه بندی شده و ابرشبکه های جرم موثر تحت کوانتیزه شدن مغناطیسی و سیم های کوانتومی ابرشبکه های فوق الذکر. FNFE در مواد نوری الکترونیک و همتایان محدود کوانتومی آنها در حضور امواج نور و میدان های الکتریکی شدید بر اساس قوانین جدید پراکندگی الکترون فرموله شده که مطالعات چنین دستگاه های اثر کوانتومی را کنترل می کند مورد مطالعه قرار می گیرد. اهمیت اندازهگیری فاصله باند در مواد نوری الکترونیکی در حضور میدانهای خارجی از این منظر مورد بحث قرار میگیرد. این تک نگاری شامل 200 مسئله تحقیق باز است که هسته اصلی را تشکیل می دهد و برای دانشجویان و محققین دکتری مفید است. این کتاب همچنین می تواند به عنوان پایه ای برای دوره تحصیلات تکمیلی در مورد انتشار میدانی از جامدات باشد.
tag : دانلود کتاب انتشار میدان فاولر-نوردهایم: اثرات در نانوساختارهای نیمه هادی , Download انتشار میدان فاولر-نوردهایم: اثرات در نانوساختارهای نیمه هادی , دانلود انتشار میدان فاولر-نوردهایم: اثرات در نانوساختارهای نیمه هادی , Download Fowler-Nordheim Field Emission: Effects in Semiconductor Nanostructures Book , انتشار میدان فاولر-نوردهایم: اثرات در نانوساختارهای نیمه هادی دانلود , buy انتشار میدان فاولر-نوردهایم: اثرات در نانوساختارهای نیمه هادی , خرید کتاب انتشار میدان فاولر-نوردهایم: اثرات در نانوساختارهای نیمه هادی , دانلود کتاب Fowler-Nordheim Field Emission: Effects in Semiconductor Nanostructures , کتاب Fowler-Nordheim Field Emission: Effects in Semiconductor Nanostructures , دانلود Fowler-Nordheim Field Emission: Effects in Semiconductor Nanostructures , خرید Fowler-Nordheim Field Emission: Effects in Semiconductor Nanostructures , خرید کتاب Fowler-Nordheim Field Emission: Effects in Semiconductor Nanostructures ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.