توضیحات
Integrated circuit (IC) reliability is of increasing concern in present-day IC technology where the interconnect failures significantly increases the failure rate for ICs with decreasing interconnect dimension and increasing number of interconnect levels. Electromigration (EM) of interconnects has now become the dominant failure mechanism that determines the circuit reliability. This brief addresses the readers to the necessity of 3D real circuit modelling in order to evaluate the EM of interconnect system in ICs, and how they can create such models for their own applications. A 3-dimensional (3D) electro-thermo-structural model as opposed to the conventional current density based 2-dimensional (2D) models is presented at circuit-layout level.
Table of Contents
Cover
Electromigration Modeling at Circuit Layout Level
ISBN 9789814451208 ISBN 9789814451215
Preface
Contents
Symbols
Chapter 1 Introduction
1.1 Overview of Electromigration
1.2 Modeling of Electromigration
1.3 Organization of the Book
1.4 Summary
Chapter 2 3D Circuit Model Construction and Simulation
2.1 Introduction
2.2 Layout Extraction and 3D Model Construction
2.3 Transient Electro-Thermo-Structural Simulations and Atomic Flux Divergence Computation
2.3.1 Transient Thermal-Electric Analysis
o 2.3.1.1 Boundary Conditions
o 2.3.1.2 Electrical Loads
o 2.3.1.3 Application of the Electrical Loads
2.3.2 Transient Structural-Thermal Analysis
o 2.3.2.1 Boundary Conditions
o 2.3.2.2 Thermal Loads
2.3.3 Application of Submodeling
2.3.4 Computation of Atomic Flux Divergences
2.4 Simulation Results and Discussions 2.4.1 Current Density and Temperature Distributions
2.4.2 Transient Temperature Variation During Circuit Operation
2.4.3 Effect of the Substrate Dimension on the Circuit Temperature
2.4.4 Transient Thermo-Mechanical Stress Variation During Circuit Operation
2.4.5 Distributions of the Atomic Flux Divergences
2.5 Effects of Barrier Thickness and Low-j Dielectric on Circuit EM Reliability
2.6 Summary
Chapter 3 Comparison of EM Performances in Circuit and Test Structures
3.1 Introduction
3.2 Model Construction and Simulation Setup
3.3 Distributions of Atomic Flux Divergences Under Different Operation Conditions
3.4 Effects of Interconnect Structures on Circuit EM Reliability
3.5 Effects of Transistor Finger Number on Circuit EM Reliability
3.6 Summary
Chapter 4 Interconnect EM Reliability Modeling at Circuit Layout Level
4.1 Introduction
4.2 Model Construction and Simulation Setup
4.3 Distributions of Atomic Flux Divergences 4.3.1 Total AFD Distribution of the Full Model
4.3.2 Total AFD Distribution of the Sub-Model
4.4 Effects of Layout and Process Parameters on Circuit EM Reliability
4.4.1 Line Width and Degree of Turning
4.4.2 Transistor Orientation
4.4.3 Inter-Transistor Distance
4.4.4 Stress-Free Temperature of the Metallization
4.5 Summary
Chapter 5 Concluding Remarks
5.1 Conclusions
5.2 Recommendations for Future Work
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
قابلیت اطمینان مدار مجتمع (IC) نگرانی فزایندهای در فناوری آیسی امروزی است که در آن خرابیهای اتصال به طور قابلتوجهی با کاهش ابعاد اتصال و افزایش تعداد سطوح اتصال، نرخ خرابی ICها را افزایش میدهد. مهاجرت الکتریکی (EM) اتصالات به مکانیسم اصلی شکست تبدیل شده است که قابلیت اطمینان مدار را تعیین می کند. این مختصر خوانندگان را به ضرورت مدلسازی مدارهای واقعی سهبعدی برای ارزیابی EM سیستم اتصال در آیسیها و چگونگی ایجاد چنین مدلهایی برای کاربردهای خود میپردازد. یک مدل الکتروترمو ساختاری سه بعدی (3 بعدی) برخلاف مدل های دو بعدی مبتنی بر چگالی جریان معمولی (2D) در سطح طرح مدار ارائه شده است. \ فهرست مطالب \ جلد \ مدلسازی الکترومیگراسیون در سطح طرحبندی مدار \ ISBN 9789814451208 ISBN 9789814451215 پیشگفتار \ Contents \ نمادها \ Chapter 1 Introduction \ Symbols \ Chapter 1 Introduction Elect. 1.3 سازمان از کتاب 1.4 خلاصه فصل 2 ساخت و شبیه سازی مدل مدار سه بعدی 2.1 مقدمه 2.2 استخراج طرح و ساخت مدل سه بعدی 2.3 شبیه سازی های گذرا الکترو-ترمو-ساختار و واگرایی شار اتمی واگرایی اتمی. تجزیه و تحلیل o 2.3.1.1 شرایط مرزی o 2.3.1.2 بارهای الکتریکی o 2.3.1.3 کاربرد بارهای الکتریکی 2.3.2 تجزیه و تحلیل ساختاری- حرارتی گذرا o 2.3.2.1 شرایط مرزی Lo.2.2 Thermald o . .3 کاربرد مدل سازی فرعی 2.3.4 محاسبه واگرایی شار اتمی 2.4 نتایج شبیه سازی و بحث 2.4.1 چگالی جریان و توزیع دما 2.4.2 تغییر دمای گذرا در طول عملیات مدار 2.4.3 اثر فرعی C دما 2.4.4 تغییر تنش ترمو مکانیکی گذرا در طول عملیات مدار 2.4.5 توزیع واگرایی های شار اتمی 2.5 اثرات ضخامت مانع و دی الکتریک پایین j بر قابلیت اطمینان EM مدار \ خلاصه EM مقایسه عملکرد 2.6 در مدار و ساختارهای آزمایشی 3.1 مقدمه 3.2 ساخت و راهاندازی مدلسازی و شبیهسازی 3.3 توزیع واگراییهای شار اتمی تحت شرایط عملیاتی مختلف 3.4 تأثیرات ساختارهای اتصال بر روی قابلیت اطمینان مدار F5Circuit Circuit EM Reliability Circuit F5Circuitorist. 3.6 خلاصه فصل 4 مدلسازی قابلیت اطمینان EM به هم در سطح چیدمان مدار 4.1 مقدمه 4.2 ساخت و راهاندازی شبیهسازی مدل 4.3 توزیع واگراییهای شار اتمی مدل فرعی 4.4 اثرات طرح و پارامترهای فرآیند بر قابلیت اطمینان مدار EM 4.4.1 عرض خط و درجه چرخش 4.4.2 جهت ترانزیستور 4.4.3 فاصله بین ترانزیستور 4.4.4 درجه حرارت بدون استرس 4.5 خلاصه فصل 5 اظهارات پایانی 5.1 نتیجه گیری 5.2 توصیه هایی برای کار آینده
tag : دانلود کتاب مدلسازی مهاجرت الکتریکی در سطح طرحبندی مدار , Download مدلسازی مهاجرت الکتریکی در سطح طرحبندی مدار , دانلود مدلسازی مهاجرت الکتریکی در سطح طرحبندی مدار , Download Electromigration Modeling at Circuit Layout Level Book , مدلسازی مهاجرت الکتریکی در سطح طرحبندی مدار دانلود , buy مدلسازی مهاجرت الکتریکی در سطح طرحبندی مدار , خرید کتاب مدلسازی مهاجرت الکتریکی در سطح طرحبندی مدار , دانلود کتاب Electromigration Modeling at Circuit Layout Level , کتاب Electromigration Modeling at Circuit Layout Level , دانلود Electromigration Modeling at Circuit Layout Level , خرید Electromigration Modeling at Circuit Layout Level , خرید کتاب Electromigration Modeling at Circuit Layout Level ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.