توضیحات
Despite its continuing popularity, the so-called standard circuit model of compound semiconductor field-effect transistors (FETs) and high electron mobility transistors (HEMTs) is shown to have a limitation for nonlinear analysis and design: it is valid only in the static limit. When the voltages and currents are time-varying, as they must be for these devices to have any practical use, the model progressively fails for higher specification circuits. This book shows how to reform the standard model to render it fully compliant with the way FETs and HEMTs actually function, thus rendering it valid dynamically. Proof-of-principle is demonstrated for several practical circuits, including a frequency doubler and amplifiers with demanding performance criteria. Methods for extracting both the reformulated model and the standard model are described, including a scheme for re-constructing from S-parameters the bias-dependent dynamic (or RF) I(V) characteristics along which devices work in real-world applications, and as needed for the design of nonlinear circuits using harmonic-balance and time-domain simulators. The book includes a historical review of how variations on the standard model theme evolved, leading up to one of the most widely usedthe Angelov (or Chalmers) model.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
با وجود محبوبیت مداوم، مدل مدار استاندارد موسوم به ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی مرکب (FET) و ترانزیستورهای تحرک الکترون بالا (HEMTs) دارای محدودیت برای تجزیه و تحلیل و طراحی غیرخطی است: این مدل فقط در موارد معتبر است. حد استاتیک هنگامی که ولتاژها و جریان ها با زمان متغیر هستند، همانطور که باید برای این دستگاه ها هر گونه استفاده عملی داشته باشند، مدل به تدریج برای مدارهای با مشخصات بالاتر شکست می خورد. این کتاب نشان میدهد که چگونه میتوان مدل استاندارد را اصلاح کرد تا کاملاً با نحوه عملکرد FET و HEMT مطابقت داشته باشد، بنابراین به صورت پویا معتبر میشود. اثبات اصل برای چندین مدار عملی، از جمله دوبل کننده فرکانس و تقویتکنندههایی با معیارهای عملکردی سخت، نشان داده شده است. روشهایی برای استخراج هر دو مدل فرمولبندیشده و مدل استاندارد، از جمله طرحی برای بازسازی از پارامترهای S ویژگیهای دینامیکی وابسته به بایاس (یا RF) I(V) که در آن دستگاهها در برنامههای کاربردی دنیای واقعی کار میکنند، و همانطور که برای طراحی مدارهای غیر خطی با استفاده از شبیه سازهای موازنه هارمونیک و دامنه زمان مورد نیاز است. این کتاب شامل مروری تاریخی از چگونگی تکامل تغییرات در موضوع مدل استاندارد است که منجر به یکی از پرکاربردترین مدل آنجلوف (یا چالمرز) شد.
tag : دانلود کتاب طراحی غیر خطی: FET و HEMT , Download طراحی غیر خطی: FET و HEMT , دانلود طراحی غیر خطی: FET و HEMT , Download Nonlinear Design: FETs and HEMTs Book , طراحی غیر خطی: FET و HEMT دانلود , buy طراحی غیر خطی: FET و HEMT , خرید کتاب طراحی غیر خطی: FET و HEMT , دانلود کتاب Nonlinear Design: FETs and HEMTs , کتاب Nonlinear Design: FETs and HEMTs , دانلود Nonlinear Design: FETs and HEMTs , خرید Nonlinear Design: FETs and HEMTs , خرید کتاب Nonlinear Design: FETs and HEMTs ,
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.