توضیحات
This book provides a comprehensive review of the state-of-the-art in the development of new and innovative materials, and of advanced modeling and characterization methods for nanoscale CMOS devices.
Leading global industry bodies including the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) have created a forecast of performance improvements that will be delivered in the foreseeable future in the form of a roadmap that will lead to a substantial enlargement in the number of materials, technologies and device architectures used in CMOS devices. This book addresses the field of materials development, which has been the subject of a major research drive aimed at finding new ways to enhance the performance of semiconductor technologies. It covers three areas that will each have a dramatic impact on the development of future CMOS devices: global and local strained and alternative materials for high speed channels on bulk substrate and insulator; very low access resistance; and various high dielectric constant gate stacks for power scaling.
The book also provides information on the most appropriate modeling and simulation methods for electrical properties of advanced MOSFETs, including ballistic transport, gate leakage, atomistic simulation, and compact models for single and multi-gate devices, nanowire and carbon-based FETs. Finally, the book presents an in-depth investigation of the main nanocharacterization techniques that can be used for an accurate determination of transport parameters, interface defects, channel strain as well as RF properties, including capacitance-conductance, improved split C-V, magnetoresistance, charge pumping, low frequency noise, and Raman spectroscopy.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
این کتاب بررسی جامعی از پیشرفتهترین پیشرفتها در توسعه مواد جدید و نوآورانه و روشهای مدلسازی و مشخصهسازی پیشرفته برای دستگاههای CMOS در مقیاس نانو ارائه میدهد.
سازمانهای صنعت پیشرو جهانی از جمله نقشه راه فناوری بینالمللی برای نیمهرساناها (ITRS) پیش بینی بهبود عملکرد را ایجاد کرده است که در آینده قابل پیش بینی در قالب یک نقشه راه ارائه می شود که منجر به افزایش قابل توجهی در تعداد مواد، فناوری ها و معماری دستگاه های مورد استفاده در دستگاه های CMOS خواهد شد. این کتاب به حوزه توسعه مواد میپردازد، که موضوع یک محرک تحقیقاتی بزرگ با هدف یافتن راههای جدید برای افزایش عملکرد فناوریهای نیمهرسانا بوده است. این سه حوزه را پوشش میدهد که هر کدام تأثیر شگرفی بر توسعه دستگاههای CMOS آینده خواهند داشت. مقاومت دسترسی بسیار کم؛ و پشته های مختلف دروازه ثابت دی الکتریک بالا برای مقیاس بندی توان.
این کتاب همچنین اطلاعاتی در مورد مناسب ترین روش های مدل سازی و شبیه سازی برای خواص الکتریکی ماسفت های پیشرفته، از جمله حمل و نقل بالستیک، نشت دروازه، شبیه سازی اتمی، و مدل های فشرده برای تک و دستگاه های چند گیت، نانوسیم و FET های مبتنی بر کربن. در نهایت، این کتاب یک بررسی عمیق از تکنیکهای اصلی نانو مشخصهسازی ارائه میکند که میتواند برای تعیین دقیق پارامترهای انتقال، عیوب رابط، کرنش کانال و همچنین ویژگیهای RF، از جمله رسانایی-خازن، بهبود تقسیم CV، مقاومت مغناطیسی، بار استفاده شود. پمپاژ، نویز فرکانس پایین و طیف سنجی رامان.
tag : دانلود کتاب CMOS در مقیاس نانو: مواد نوآورانه، مدلسازی و مشخصهسازی , Download CMOS در مقیاس نانو: مواد نوآورانه، مدلسازی و مشخصهسازی , دانلود CMOS در مقیاس نانو: مواد نوآورانه، مدلسازی و مشخصهسازی , Download Nanoscale CMOS: Innovative Materials, Modeling and Characterization Book , CMOS در مقیاس نانو: مواد نوآورانه، مدلسازی و مشخصهسازی دانلود , buy CMOS در مقیاس نانو: مواد نوآورانه، مدلسازی و مشخصهسازی , خرید کتاب CMOS در مقیاس نانو: مواد نوآورانه، مدلسازی و مشخصهسازی , دانلود کتاب Nanoscale CMOS: Innovative Materials, Modeling and Characterization , کتاب Nanoscale CMOS: Innovative Materials, Modeling and Characterization , دانلود Nanoscale CMOS: Innovative Materials, Modeling and Characterization , خرید Nanoscale CMOS: Innovative Materials, Modeling and Characterization , خرید کتاب Nanoscale CMOS: Innovative Materials, Modeling and Characterization ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.