توضیحات
High electron mobility transistor (HEMT) has better performance potential than the conventional MOSFETs. Further, InAs is a perfect candidate for the HEMT device architecture owing to its peak electron mobility. Advanced Indium Arsenide-based HEMT Architectures for Terahertz Applications characterizes the HEMT based on InAs III-V material to achieve outstanding current and frequency performance. This book explains different types of device architectures available to enhance performance including InAs-based single gate (SG) HEMT and double gate (DG) HEMT. The noise analysis of InAs-based SG and DG-HEMT is also discussed. The main goal of this book is to characterize the InAs device to achieve terahertz frequency regime with proper device parameters.
Features:
- Explains the influence of InAs material in the performance of HEMTs and MOS-HEMTs.
- Covers novel indium arsenide architectures for achieving terahertz frequencies
- Discusses impact of device parameters on frequency response
- Illustrates noise characterization of optimized indium arsenide HEMTs
- Introduces terahertz electronics including sources for terahertz applications.
This book is of special interest to researchers and graduate students in Electronics Engineering, High Electron Mobility Transistors, Semi-conductors, Communications, and Nanodevices.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
ترانزیستور با تحرک الکترون بالا (HEMT) پتانسیل عملکرد بهتری نسبت به ماسفتهای معمولی دارد. علاوه بر این، InAs به دلیل حداکثر تحرک الکترونی آن، کاندیدای عالی برای معماری دستگاه HEMT است. معماریهای پیشرفته HEMT مبتنی بر آرسنید ایندیوم برای کاربردهای تراهرتز HEMT را بر اساس مواد InAs III-V برای دستیابی به عملکرد جریان و فرکانس فوقالعاده مشخص میکند. این کتاب انواع مختلفی از معماریهای دستگاه موجود برای افزایش عملکرد را توضیح میدهد، از جمله HEMT بر پایه InAs تک دروازه (SG) و دروازه دوگانه (DG) HEMT. تحلیل نویز SG و DG-HEMT مبتنی بر InAs نیز مورد بحث قرار گرفته است. هدف اصلی این کتاب مشخص کردن دستگاه InAs برای دستیابی به رژیم فرکانس تراهرتز با پارامترهای دستگاه مناسب است.
ویژگی ها:
< ul>
این کتاب مورد توجه ویژه محققان و دانشجویان فارغ التحصیل در رشته های مهندسی الکترونیک، ترانزیستورهای با تحرک الکترون بالا، نیمه هادی ها، ارتباطات و نانو دستگاه ها است.
tag : دانلود کتاب معماری های پیشرفته HEMT مبتنی بر آرسنید ایندیوم برای کاربردهای تراهرتز , Download معماری های پیشرفته HEMT مبتنی بر آرسنید ایندیوم برای کاربردهای تراهرتز , دانلود معماری های پیشرفته HEMT مبتنی بر آرسنید ایندیوم برای کاربردهای تراهرتز , Download Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications Book , معماری های پیشرفته HEMT مبتنی بر آرسنید ایندیوم برای کاربردهای تراهرتز دانلود , buy معماری های پیشرفته HEMT مبتنی بر آرسنید ایندیوم برای کاربردهای تراهرتز , خرید کتاب معماری های پیشرفته HEMT مبتنی بر آرسنید ایندیوم برای کاربردهای تراهرتز , دانلود کتاب Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications , کتاب Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications , دانلود Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications , خرید Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications , خرید کتاب Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.