توضیحات
New solutions are needed for future scaling down of nonvolatile memory. Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology provides an overview of developing technologies and explores their strengths and weaknesses.
After an overview of the current market, part one introduces improvements in flash technologies, including developments in 3D NAND flash technologies and flash memory for ultra-high density storage devices. Part two looks at the advantages of designing phase change memory and resistive random access memory technologies. It looks in particular at the fabrication, properties, and performance of nanowire phase change memory technologies. Later chapters also consider modeling of both metal oxide and resistive random access memory switching mechanisms, as well as conductive bridge random access memory technologies. Finally, part three looks to the future of alternative technologies. The areas covered include molecular, polymer, and hybrid organic memory devices, and a variety of random access memory devices such as nano-electromechanical, ferroelectric, and spin-transfer-torque magnetoresistive devices.
Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology is a key resource for postgraduate students and academic researchers in physics, materials science, and electrical engineering. It is a valuable tool for research and development managers concerned with electronics, semiconductors, nanotechnology, solid-state memories, magnetic materials, organic materials, and portable electronic devices.
- Provides an overview of developing nonvolatile memory and storage technologies and explores their strengths and weaknesses
- Examines improvements to flash technology, charge trapping, and resistive random access memory
- Discusses emerging devices such as those based on polymer and molecular electronics, and nanoelectromechanical random access memory (RAM)
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
راه حل های جدید برای کاهش آینده حافظه غیر ولتاژ مورد نیاز است. پیشرفت در حافظه و فناوری ذخیره سازی غیر فرار مروری بر فناوری های در حال توسعه ارائه می دهد و نقاط قوت و ضعف آنها را بررسی می کند.
پس از بررسی کلی از بازار فعلی ، قسمت اول پیشرفت در فن آوری های فلش ، از جمله پیشرفت در فناوری های فلش 3D NAND و حافظه فلش را برای دستگاه های ذخیره سازی چگالی فوق العاده بالا معرفی می کند. قسمت دوم مزایای طراحی فاز تغییر حافظه و فن آوری های حافظه دسترسی تصادفی مقاومت را بررسی می کند. به ویژه در ساخت ، خصوصیات و عملکرد فن آوری های حافظه تغییر فاز نانوسیم به نظر می رسد. فصل های بعدی همچنین مدل سازی هر دو اکسید فلزی و مکانیسم های سوئیچینگ دسترسی تصادفی مقاومت و همچنین فن آوری های حافظه دسترسی تصادفی Bridge را در نظر می گیرند. سرانجام ، قسمت سوم به آینده فن آوری های جایگزین نگاه می کند. مناطق تحت پوشش شامل دستگاههای حافظه ارگانیک مولکولی ، پلیمر و ترکیبی و انواع دستگاههای حافظه دسترسی تصادفی مانند دستگاه های مغناطیسی نانو الکترومکانیکی ، فروالکتریک و چرخش-انتقال-تورک است.
پیشرفت در فناوری حافظه و ذخیره سازی غیر فرار یک منبع اصلی برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی و محققان دانشگاهی در فیزیک ، علوم مواد و مهندسی برق است. این یک ابزار ارزشمند برای مدیران تحقیق و توسعه است که مربوط به الکترونیک ، نیمه هادی ها ، فناوری نانو ، خاطرات حالت جامد ، مواد مغناطیسی ، مواد ارگانیک و وسایل الکترونیکی قابل حمل است. فناوری های حافظه و ذخیره سازی و نقاط قوت و ضعف آنها را بررسی می کند
tag : دانلود کتاب پیشرفت در حافظه و فناوری ذخیره سازی غیر فرار , Download پیشرفت در حافظه و فناوری ذخیره سازی غیر فرار , دانلود پیشرفت در حافظه و فناوری ذخیره سازی غیر فرار , Download Advances in Non-Volatile Memory and Storage Technology Book , پیشرفت در حافظه و فناوری ذخیره سازی غیر فرار دانلود , buy پیشرفت در حافظه و فناوری ذخیره سازی غیر فرار , خرید کتاب پیشرفت در حافظه و فناوری ذخیره سازی غیر فرار , دانلود کتاب Advances in Non-Volatile Memory and Storage Technology , کتاب Advances in Non-Volatile Memory and Storage Technology , دانلود Advances in Non-Volatile Memory and Storage Technology , خرید Advances in Non-Volatile Memory and Storage Technology , خرید کتاب Advances in Non-Volatile Memory and Storage Technology ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.