توضیحات
The new edition of this textbook presents a detailed description of basic semiconductor physics. The text covers a wide range of important phenomena in semiconductors, from the simple to the advanced. Four different methods of energy band calculations in the full band region are explained: local empirical pseudopotential, non-local pseudopotential, KP perturbation and tight-binding methods. The effective mass approximation and electron motion in a periodic potential, Boltzmann transport equation and deformation potentials used for analysis of transport properties are discussed.
Further, the book examines experiments and theoretical analyses of cyclotron resonance in detail. Optical and transport properties, magneto-transport, two-dimensional electron gas transport (HEMT and MOSFET) and quantum transport are reviewed, while optical transition, electron-phonon interaction and electron mobility are also addressed.
Energy and electronic structure of a quantum dot (artificial atom) are explained with the help of Slater determinants. The physics of semiconductor lasers is also described, including Einstein coefficients, stimulated emission, spontaneous emission, laser gain, double heterostructures, blue lasers, optical confinement, laser modes, and strained quantum well lasers, offering insights into the physics of various kinds of semiconductor lasers.
In this third edition, energy band calculations in full band zone with spin-orbit interaction are presented, showing all the matrix elements and equipping the reader to prepare computer programs of energy band calculations. The Luttinger Hamiltonian is discussed and used to analyze the valence band structure. Numerical calculations of scattering rate, relaxation time, and mobility are presented for typical semiconductors, which are very helpful for understanding of transport. Energy band structures and effective masses of nitrides such as GaN, InN, AlN and their ternary alloys are discussed because they are very important materials for the blue light emission, and high power devices with and high frequency.
Learning and teaching with this textbook is supported by problems and solutions in the end of the chapters.
The book is written for bachelor and upper undergraduate students of physics and engineering.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
ویرایش جدید این کتاب درسی شرح مفصلی از فیزیک نیمه هادی ها را ارائه می دهد. این متن طیف گسترده ای از پدیده های مهم در نیمه هادی ها را از ساده تا پیشرفته را پوشش می دهد. چهار روش مختلف برای محاسبات باند انرژی در منطقه باند کامل توضیح داده شدهاند: روشهای شبه پتانسیل تجربی محلی، شبه پتانسیل غیرمحلی، اغتشاش KP و روشهای اتصال محکم. تقریب جرم موثر و حرکت الکترون در یک پتانسیل تناوبی، معادله انتقال بولتزمن و پتانسیلهای تغییر شکل مورد استفاده برای تجزیه و تحلیل خواص انتقال مورد بحث قرار میگیرند. علاوه بر این، این کتاب آزمایشها و تحلیلهای نظری تشدید سیکلوترون را با جزئیات بررسی میکند. خواص نوری و انتقال، انتقال مغناطیسی، انتقال گاز الکترون دو بعدی (HEMT و MOSFET) و انتقال کوانتومی بررسی میشوند، در حالی که انتقال نوری، برهمکنش الکترون-فونون و تحرک الکترون نیز مورد بررسی قرار میگیرند. انرژی و ساختار الکترونیکی یک نقطه کوانتومی (اتم مصنوعی) با کمک دترمیناتورهای Slater توضیح داده شده است. فیزیک لیزرهای نیمه هادی نیز شرح داده شده است، از جمله ضرایب انیشتین، انتشار تحریک شده، گسیل خود به خود، بهره لیزر، ساختارهای ناهمسان دوگانه، لیزرهای آبی، محصورسازی نوری، حالت های لیزر، و لیزرهای چاه کوانتومی تیره شده، که بینش هایی را در زمینه فیزیک مختلف ارائه می دهد. لیزرها در این نسخه سوم، محاسبات باند انرژی در منطقه باند کامل با اندرکنش مدار- اسپین ارائه شده است که تمام عناصر ماتریس را نشان می دهد و خواننده را برای تهیه برنامه های کامپیوتری محاسبات باند انرژی مجهز می کند. Luttinger Hamiltonian برای تجزیه و تحلیل ساختار نوار ظرفیت مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. محاسبات عددی نرخ پراکندگی، زمان استراحت و تحرک برای نیمه هادی های معمولی ارائه شده است که برای درک حمل و نقل بسیار مفید است. ساختارهای نوار انرژی و توده های موثر نیتریدها مانند GaN، InN، AlN و آلیاژهای سه تایی آنها مورد بحث قرار می گیرند زیرا آنها مواد بسیار مهمی برای انتشار نور آبی و دستگاه های با قدرت بالا و فرکانس بالا هستند. یادگیری و آموزش با این کتاب درسی با مشکلات و راه حل ها در انتهای فصل ها پشتیبانی می شود. این کتاب برای دانشجویان لیسانس و فوق لیسانس فیزیک و مهندسی نوشته شده است.
tag : دانلود کتاب فیزیک نیمه هادی های پایه , Download فیزیک نیمه هادی های پایه , دانلود فیزیک نیمه هادی های پایه , Download Basic semiconductor physics Book , فیزیک نیمه هادی های پایه دانلود , buy فیزیک نیمه هادی های پایه , خرید کتاب فیزیک نیمه هادی های پایه , دانلود کتاب Basic semiconductor physics , کتاب Basic semiconductor physics , دانلود Basic semiconductor physics , خرید Basic semiconductor physics , خرید کتاب Basic semiconductor physics ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.