توضیحات
This book deals with the Effective Electron Mass (EEM) in low dimensional semiconductors. The materials considered are quantum confined non-linear optical, III-V, II-VI, GaP, Ge, PtSb2, zero-gap, stressed, Bismuth, carbon nanotubes, GaSb, IV-VI, Te, II-V, Bi2Te3, Sb, III-V, II-VI, IV-VI semiconductors and quantized III-V, II-VI, IV-VI and HgTe/CdTe superlattices with graded interfaces and effective mass superlattices. The presence of intense electric field and the light waves change the band structure of optoelectronic semiconductors in fundamental ways, which have also been incorporated in the study of the EEM in quantized structures of optoelectronic compounds that control the studies of the quantum effect devices under strong fields. The importance of measurement of band gap in optoelectronic materials under strong electric field and external photo excitation has also been discussed in this context. The influence of crossed electric and quantizing magnetic fields on the EEM and the EEM in heavily doped semiconductors and their nanostructures is discussed. This book contains 200 open research problems which form the integral part of the text and are useful for both Ph. D aspirants and researchers in the fields of solid-state sciences, materials science, nanoscience and technology and allied fields in addition to the graduate courses in modern semiconductor nanostructures.
The book is written for post graduate students, researchers and engineers, professionals in the fields of solid state sciences, materials science, nanoscience and technology, nanostructured materials and condensed matter physics.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
این کتاب به جرم الکترون موثر (EEM) در نیمه هادی های با ابعاد پایین می پردازد. مواد در نظر گرفته شده نوری غیرخطی محدود کوانتومی، III-V، II-VI، GaP، Ge، PtSb2، شکاف صفر، تنش، بیسموت، نانولوله های کربنی، GaSb، IV-VI، Te، II-V، Bi2Te3، نیمه هادی های Sb، III-V، II-VI، IV-VI و ابرشبکه های کوانتیزه III-V، II-VI، IV-VI و HgTe/CdTe با رابط های درجه بندی شده و ابرشبکه های جرم موثر. وجود میدان الکتریکی شدید و امواج نور، ساختار نواری نیمه هادی های نوری را به روش های اساسی تغییر می دهد، که در مطالعه EEM در ساختارهای کوانتیزه ترکیبات نوری که مطالعات دستگاه های اثر کوانتومی را تحت میدان های قوی کنترل می کنند، گنجانده شده است. . اهمیت اندازه گیری فاصله باند در مواد نوری الکترونیکی تحت میدان الکتریکی قوی و تحریک عکس خارجی نیز در این زمینه مورد بحث قرار گرفته است. تأثیر میدانهای مغناطیسی الکتریکی و کوانتیزاسیون متقاطع بر روی EEM و EEM در نیمههادیهای به شدت دوپشده و نانوساختارهای آنها مورد بحث قرار میگیرد. این کتاب شامل 200 مسئله تحقیقاتی باز است که بخش جدایی ناپذیر متن را تشکیل می دهد و برای داوطلبان دکتری و محققین در زمینه های علوم حالت جامد، علم مواد، علوم و فناوری نانو و رشته های وابسته علاوه بر دوره های تحصیلات تکمیلی مفید است. در نانوساختارهای نیمه هادی مدرن
این کتاب برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی، محققین و مهندسان، متخصصان در زمینههای علوم حالت جامد، علم مواد، علم و فناوری نانو، مواد نانوساختار و فیزیک ماده چگال نوشته شده است.
tag : دانلود کتاب جرم الکترون موثر در نیمه هادی های کم بعدی , Download جرم الکترون موثر در نیمه هادی های کم بعدی , دانلود جرم الکترون موثر در نیمه هادی های کم بعدی , Download Effective Electron Mass in Low-Dimensional Semiconductors Book , جرم الکترون موثر در نیمه هادی های کم بعدی دانلود , buy جرم الکترون موثر در نیمه هادی های کم بعدی , خرید کتاب جرم الکترون موثر در نیمه هادی های کم بعدی , دانلود کتاب Effective Electron Mass in Low-Dimensional Semiconductors , کتاب Effective Electron Mass in Low-Dimensional Semiconductors , دانلود Effective Electron Mass in Low-Dimensional Semiconductors , خرید Effective Electron Mass in Low-Dimensional Semiconductors , خرید کتاب Effective Electron Mass in Low-Dimensional Semiconductors ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.