توضیحات
This monograph solely investigates the Einstein’s Photoemission(EP) from Heavily Doped(HD) Quantized Structures on the basis of newly formulated electron dispersion laws. The materials considered are quantized structures of HD non-linear optical, III-V, II-VI, Ge, Te, Platinum Antimonide, stressed materials, GaP, Gallium Antimonide, II-V, Bismuth Telluride together with various types of HD superlattices and their Quantized counterparts respectively. The EP in HD opto-electronic materials and their nanostructures is studied in the presence of strong light waves and intense electric fields that control the studies of such quantum effect devices. The suggestions for the experimental determinations of different important physical quantities in HD 2D and 3D materials and the importance of measurement of band gap in HD optoelectronic materials under intense built-in electric field in nano devices and strong external photo excitation (for measuring physical properties in the presence of intense light waves which alter the electron energy spectra) have also been discussed in this context. The influence quantizing magnetic field, on the EP of the different HD quantized structures (quantum wells, quantum well HD superlattices and nipi structures) under different physical conditions has been investigated. This monograph contains 100 open research problems which form the integral part of the text and are useful for both Ph.D aspirants and researchers in the fields of materials science, condensed matter physics, solid-state sciences, nano-science and technology and allied fields in addition to the graduate courses in modern semiconductor nanostructures offered in different Universities and Institutes.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
این مونوگرافی صرفاً بر اساس قوانین پراکندگی الکترونی تازه تدوین شده ، از ساختارهای کم نظیر دوپ شده (HD) به شدت دوپ شده (HD) بررسی می کند. مواد در نظر گرفته شده ساختارهای کمکی از نوری غیر خطی HD ، III-V ، II-VI ، GE ، TE ، آنتی مونید پلاتین ، مواد استرس ، شکاف ، آنتیمونید گالیم ، II-V ، تلورید بیسموت به همراه انواع مختلف Superlattices HD و HD است. به ترتیب همتایان کم نظیر آنها. EP در مواد Opto-Electronic HD و نانوساختارهای آنها در حضور امواج نور قوی و زمینه های الکتریکی شدید که کنترل مطالعات چنین دستگاه های اثر کوانتومی را کنترل می کنند ، مورد مطالعه قرار می گیرد. پیشنهادات مربوط به تعیین های تجربی مقادیر فیزیکی مهم مختلف در مواد HD 2D و 3D و اهمیت اندازه گیری شکاف باند در مواد اپتوالکترونیک HD تحت میدان الکتریکی داخلی شدید در دستگاه های نانو و تحریک عکس خارجی قوی (برای اندازه گیری خصوصیات فیزیکی در وجود امواج نور شدید که طیف انرژی الکترون را تغییر می دهد) نیز در این زمینه مورد بحث قرار گرفته است. تأثیر میدان مغناطیسی ، در EP از ساختارهای مختلف کمیت HD (چاه های کوانتومی ، چاه کوانتومی چاه HD و ساختارهای NIPI) در شرایط فیزیکی مختلف بررسی شده است. این مونوگرافی شامل 100 مشکل تحقیقاتی باز است که بخشی جدایی ناپذیر از متن را تشکیل می دهد و هم برای علاقه مندان به دکتری و هم محققان در زمینه علوم مواد ، فیزیک ماده متراکم ، علوم حالت جامد ، نانو-علم و فناوری و زمینه های متفقین مفید است. علاوه بر دوره های تحصیلات تکمیلی در نانوساختارهای نیمه هادی مدرن ارائه شده در دانشگاه ها و مؤسسات مختلف.
tag : دانلود کتاب عکس انیشتین: انتشار از ساختارهای کم نظیر دوپ شده , Download عکس انیشتین: انتشار از ساختارهای کم نظیر دوپ شده , دانلود عکس انیشتین: انتشار از ساختارهای کم نظیر دوپ شده , Download Einstein’s Photoemission: Emission from Heavily-Doped Quantized Structures Book , عکس انیشتین: انتشار از ساختارهای کم نظیر دوپ شده دانلود , buy عکس انیشتین: انتشار از ساختارهای کم نظیر دوپ شده , خرید کتاب عکس انیشتین: انتشار از ساختارهای کم نظیر دوپ شده , دانلود کتاب Einstein’s Photoemission: Emission from Heavily-Doped Quantized Structures , کتاب Einstein’s Photoemission: Emission from Heavily-Doped Quantized Structures , دانلود Einstein’s Photoemission: Emission from Heavily-Doped Quantized Structures , خرید Einstein’s Photoemission: Emission from Heavily-Doped Quantized Structures , خرید کتاب Einstein’s Photoemission: Emission from Heavily-Doped Quantized Structures ,
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.