توضیحات
For many decades, the semiconductor industry has miniaturized transistors, delivering increased computing power to consumers at decreased cost. However, mere transistor downsizing does no longer provide the same improvements. One interesting option to further improve transistor characteristics is to use high mobility materials such as germanium and III-V materials. However, transistors have to be redesigned in order to fully benefit from these alternative materials.
High Mobility and Quantum Well Transistors: Design and TCAD Simulation investigates planar bulk Germanium pFET technology in chapters 2-4, focusing on both the fabrication of such a technology and on the process and electrical TCAD simulation. Furthermore, this book shows that Quantum Well based transistors can leverage the benefits of these alternative materials, since they confine the charge carriers to the high-mobility material using a heterostructure. The design and fabrication of one particular transistor structure – the SiGe Implant-Free Quantum Well pFET is discussed. Electrical testing shows remarkable short-channel performance and prototypes are found to be competitive with a state-of-the-art planar strained-silicon technology. High mobility channels, providing high drive current, and heterostructure confinement, providing good short-channel control, make a promising combination for future technology nodes.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
برای چندین دهه، صنعت نیمه هادی ترانزیستورها را کوچک کرده است و قدرت محاسباتی بیشتری را با هزینه کمتر به مصرف کنندگان می رساند. با این حال، کوچک کردن ترانزیستور صرفاً دیگر همان پیشرفت ها را ایجاد نمی کند. یکی از گزینههای جالب برای بهبود بیشتر ویژگیهای ترانزیستور، استفاده از مواد با تحرک بالا مانند مواد ژرمانیوم و III-V است. با این حال، ترانزیستورها باید دوباره طراحی شوند تا به طور کامل از این مواد جایگزین بهره ببرند.
ترانزیستورهای چاه کوانتومی و تحرک بالا: طراحی و شبیه سازی TCAD فناوری فله ای فله ای ژرمنیوم را در فصل های 2-4 بررسی می کند، با تمرکز بر هر دو ساخت چنین فناوری و بر روی فرآیند و شبیه سازی TCAD الکتریکی. علاوه بر این، این کتاب نشان میدهد که ترانزیستورهای مبتنی بر چاه کوانتومی میتوانند از مزایای این مواد جایگزین استفاده کنند، زیرا آنها حاملهای بار را با استفاده از ساختار ناهمگن به مواد با تحرک بالا محدود میکنند. طراحی و ساخت یک ساختار ترانزیستوری خاص – SiGe بدون ایمپلنت چاه کوانتومی pFET مورد بحث قرار گرفته است. آزمایش الکتریکی عملکرد کانال کوتاه قابل توجهی را نشان میدهد و نمونههای اولیه با فناوری پیشرفته سیلیکون صاف صاف قابل رقابت هستند. کانالهای تحرک بالا، ارائه جریان درایو بالا، و محصورسازی ناهمساختار، ارائه کنترل خوب کانال کوتاه، ترکیبی امیدوارکننده برای گرههای فناوری آینده است.
tag : دانلود کتاب ترانزیستورهای چاه کوانتومی و تحرک بالا: طراحی و شبیه سازی TCAD , Download ترانزیستورهای چاه کوانتومی و تحرک بالا: طراحی و شبیه سازی TCAD , دانلود ترانزیستورهای چاه کوانتومی و تحرک بالا: طراحی و شبیه سازی TCAD , Download High Mobility and Quantum Well Transistors: Design and TCAD Simulation Book , ترانزیستورهای چاه کوانتومی و تحرک بالا: طراحی و شبیه سازی TCAD دانلود , buy ترانزیستورهای چاه کوانتومی و تحرک بالا: طراحی و شبیه سازی TCAD , خرید کتاب ترانزیستورهای چاه کوانتومی و تحرک بالا: طراحی و شبیه سازی TCAD , دانلود کتاب High Mobility and Quantum Well Transistors: Design and TCAD Simulation , کتاب High Mobility and Quantum Well Transistors: Design and TCAD Simulation , دانلود High Mobility and Quantum Well Transistors: Design and TCAD Simulation , خرید High Mobility and Quantum Well Transistors: Design and TCAD Simulation , خرید کتاب High Mobility and Quantum Well Transistors: Design and TCAD Simulation ,
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.