توضیحات
Presenting the cutting-edge results of new device developments and circuit implementations, High-Speed Devices and Circuits with THz Applications covers the recentadvancements of nano devices for terahertz (THz) applications and the latest high-speed data rate connectivity technologies from system design to integrated circuit (IC) design, providing relevant standard activities and technical specifications. Featuring the contributions of leading experts from industry and academia, this pivotal work:
- Discusses THz sensing and imaging devices based on nano devices and materials
- Describes silicon on insulator (SOI) multigate nanowire field-effect transistors (FETs)
- Explains the theory underpinning nanoscale nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), simulation methods, and their results
- Explores the physics of the silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT), as well as commercially available SiGe HBT devices and their applications
- Details aspects of THz IC design using standard silicon (Si) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices, including experimental setups for measurements, detection methods, and more
An essential text for the future of high-frequency engineering, High-Speed Devices and Circuits with THz Applications offers valuable insight into emerging technologies and product possibilities that are attractive in terms of mass production and compatibility with current manufacturing facilities.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
ارائه نتایج پیشرفته پیشرفتهای دستگاههای جدید و پیادهسازی مدارها، دستگاهها و مدارهای پرسرعت با کاربردهای تراهرتز، پیشرفتهای اخیر دستگاههای نانو برای برنامههای تراهرتز (THz) و جدیدترین فناوریهای پرسرعت را پوشش میدهد. فناوریهای اتصال سرعت داده از طراحی سیستم تا طراحی مدار مجتمع (IC)، ارائه فعالیتهای استاندارد مرتبط و مشخصات فنی. این کار مهم با مشارکت کارشناسان برجسته صنعت و دانشگاه:
- در مورد دستگاههای سنجش و تصویربرداری THz بر اساس دستگاهها و مواد نانو بحث میکند
- سیلیکون روی عایق (SOI) را تشریح میکند. ) ترانزیستورهای اثر میدانی نانوسیم چند دروازه ای (FETs)
- تئوری زیربنای ترانزیستورهای اثر میدانی نانوسیم نانوسیم اکسید-نیمه هادی (MOSFET)، روش های شبیه سازی و نتایج آنها را توضیح می دهد
- کاوش فیزیک ترانزیستور دوقطبی ناهمگونی سیلیکون-ژرمانیوم (SiGe) و همچنین دستگاه های SiGe HBT تجاری موجود و کاربردهای آنها
- جزئیات طراحی IC THz با استفاده از سیلیکون استاندارد (Si) فلز مکمل دستگاه های نیمه هادی اکسیدی (CMOS)، از جمله تنظیمات آزمایشی برای اندازه گیری ها، روش های تشخیص و موارد دیگر
یک متن ضروری برای آینده مهندسی فرکانس بالا، < B>دستگاهها و مدارهای پرسرعت با کاربردهای THz بینش ارزشمندی را در مورد فناوریهای نوظهور و امکانات محصول ارائه میدهند که از نظر تولید انبوه و سازگاری با امکانات تولید فعلی جذاب هستند.
tag : دانلود کتاب دستگاهها و مدارهای پرسرعت با برنامههای THz , Download دستگاهها و مدارهای پرسرعت با برنامههای THz , دانلود دستگاهها و مدارهای پرسرعت با برنامههای THz , Download High-Speed Devices and Circuits with THz Applications Book , دستگاهها و مدارهای پرسرعت با برنامههای THz دانلود , buy دستگاهها و مدارهای پرسرعت با برنامههای THz , خرید کتاب دستگاهها و مدارهای پرسرعت با برنامههای THz , دانلود کتاب High-Speed Devices and Circuits with THz Applications , کتاب High-Speed Devices and Circuits with THz Applications , دانلود High-Speed Devices and Circuits with THz Applications , خرید High-Speed Devices and Circuits with THz Applications , خرید کتاب High-Speed Devices and Circuits with THz Applications ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.