دانلود کتاب III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics – نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون

دسته بندی :
اطلاعات کتاب
  • جلد
  • سری
  • ویرایش 1
  • سال 2010
  • نویسنده (گان) Tingkai Li, Michael Mastro, Armin Dadgar
  • ناشر CRC Press
  • زبان English
  • تعداد صفحات 588
  • حجم فایل 20.04MB
  • فرمت فایل pdf
  • شابک 1439815224, 9781439815229
قیمت محصول :

45,000 تومان

با خرید این محصول، 2,250 تومان به کیف پول شما بازگشت داده می‌شود

روند خرید و دریافت کتاب‌ها بدون هیچ اختلالی انجام می‌شود.
تمامی فایل‌ها بر روی سرورهای داخلی میزبانی می‌شوند تا بتوانید به راحتی و در لحظه آن‌ها را دانلود کنید. در صورت بروز هرگونه مشکل یا نیاز به راهنمایی، لطفاً از طریق « صفحه تماس باما» با تیم پشتیبانی در ارتباط باشید.

تمامی کتاب های موجود در وبسایت سای وان به زبان انگلیسی میباشد

توضیحات

Silicon-based microelectronics has steadily improved in various performance-to-cost metrics. But after decades of processor scaling, fundamental limitations and considerable new challenges have emerged. The integration of compound semiconductors is the leading candidate to address many of these issues and to continue the relentless pursuit of more powerful, cost-effective processors.

III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics covers recent progress in this area, addressing the two major revolutions occurring in the semiconductor industry: integration of compound semiconductors into Si microelectronics, and their fabrication on large-area Si substrates. The authors present a scientific and technological exploration of GaN, GaAs, and III-V compound semiconductor devices within Si microelectronics, building a fundamental foundation to help readers deal with relevant design and application issues.

Explores silicon-based CMOS applications developed within the cutting-edge DARPA program

Providing an overview of systems, devices, and their component materials, this book:

  • Describes structure, phase diagrams, and physical and chemical properties of III-V and Si materials, as well as integration challenges
  • Focuses on the key merits of GaN, including its importance in commercializing a new class of power diodes and transistors
  • Analyzes more traditional III-V materials, discussing their merits and drawbacks for device integration with Si microelectronics
  • Elucidates properties of III-V semiconductors and describes approaches to evaluate and characterize their attributes
  • Introduces novel technologies for the measurement and evaluation of material quality and device properties
  • Investigates state-of-the-art optical devices, LEDs, Si photonics, high-speed, high-power III-V materials and devices, III-V solar cell devices, and more

Assembling the work of renowned experts, this is a reference for scientists and engineers working at the intersection of Si and compound semiconductor technology. Its comprehensive coverage is valuable for both students and experts in this burgeoning field.

————————————————————–

ترجمه ماشینی :

میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون به طور پیوسته در معیارهای مختلف عملکرد به هزینه بهبود یافته است. اما پس از دهه‌ها مقیاس‌گذاری پردازنده، محدودیت‌های اساسی و چالش‌های جدید قابل توجهی پدیدار شده‌اند. ادغام نیمه هادی های مرکب کاندیدای اصلی برای رسیدگی به بسیاری از این مسائل و ادامه پیگیری بی وقفه پردازنده های قدرتمندتر و مقرون به صرفه است.

III-V. نیمه هادی های مرکب: ادغام با میکروالکترونیک های مبتنی بر سیلیکون پیشرفت های اخیر در این زمینه را پوشش می دهد و به دو انقلاب بزرگ در صنعت نیمه هادی ها می پردازد: ادغام نیمه هادی های مرکب در میکروالکترونیک Si و ساخت آنها بر روی بسترهای Si با مساحت بزرگ. نویسندگان یک کاوش علمی و فناوری در مورد دستگاه‌های نیمه‌رسانای ترکیبی GaN، GaAs و III-V در میکروالکترونیک Si ارائه می‌کنند و پایه‌ای اساسی برای کمک به خوانندگان برای مقابله با مسائل مربوط به طراحی و کاربرد ایجاد می‌کنند.

برنامه‌های CMOS مبتنی بر سیلیکون را که در برنامه پیشرفته DARPA توسعه یافته‌اند بررسی می‌کند< /P>

این کتاب با ارائه یک نمای کلی از سیستم‌ها، دستگاه‌ها و مواد سازنده آنها:

  • ساختار، نمودارهای فاز و فیزیکی را شرح می‌دهد. و خواص شیمیایی مواد III-V و Si، و همچنین چالش های یکپارچه سازی
  • بر مزیت های کلیدی GaN، از جمله اهمیت آن در تجاری سازی یک کلاس جدید دیودها و ترانزیستورهای قدرت
  • مواد سنتی III-V را تجزیه و تحلیل می‌کند و مزایا و معایب آنها را برای ادغام دستگاه با میکروالکترونیک Si بیان می‌کند. /LI>

  • خواص نیمه هادی های III-V را توضیح می دهد و رویکردهایی را برای ارزیابی و مشخص کردن ویژگی های آنها توصیف می کند
  • < LI>تکنولوژی های جدیدی را برای اندازه گیری و ارزیابی کیفیت مواد و ویژگی های دستگاه معرفی می کند

  • دستگاه های نوری پیشرفته، LED ها، Si را بررسی می کند. فوتونیک، مواد و دستگاه‌های پرسرعت III-V، دستگاه‌های سلول خورشیدی III-V و موارد دیگر

جمع آوری کار متخصصان مشهور، این مرجع برای دانشمندان و مهندسانی است که در تقاطع فناوری نیمه هادی Si و ترکیبی کار می کنند. پوشش جامع آن هم برای دانشجویان و هم برای متخصصان این حوزه رو به رشد ارزشمند است.


 

tag : دانلود کتاب نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون , Download نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون , دانلود نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون , Download III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics Book , نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون دانلود , buy نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون , خرید کتاب نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون , دانلود کتاب III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics , کتاب III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics , دانلود III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics , خرید III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics , خرید کتاب III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics ,

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “دانلود کتاب III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics – نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون”