دانلود کتاب Introductory semiconductor device physics – فیزیک دستگاه های نیمه هادی مقدماتی

دسته بندی :
اطلاعات کتاب
  • جلد
  • سری
  • ویرایش
  • سال 2014
  • نویسنده (گان) Parker, Greg
  • ناشر CRC Press
  • زبان English
  • تعداد صفحات
  • حجم فایل 7.65MB
  • فرمت فایل pdf
  • شابک 9781482262988, 1482262983
قیمت محصول :

45,000 تومان

با خرید این محصول، 2,250 تومان به کیف پول شما بازگشت داده می‌شود

روند خرید و دریافت کتاب‌ها بدون هیچ اختلالی انجام می‌شود.
تمامی فایل‌ها بر روی سرورهای داخلی میزبانی می‌شوند تا بتوانید به راحتی و در لحظه آن‌ها را دانلود کنید. در صورت بروز هرگونه مشکل یا نیاز به راهنمایی، لطفاً از طریق « صفحه تماس باما» با تیم پشتیبانی در ارتباط باشید.

تمامی کتاب های موجود در وبسایت سای وان به زبان انگلیسی میباشد

توضیحات

ATOMS AND BONDINGThe Periodic TableIonic BondingCovalent BondingMetallic bondingvan der Waals BondingStart a DatabaseENERGY BANDS AND EFFECTIVE MASSSemiconductors, Insulators and MetalsSemiconductorsInsulatorsMetalsThe Concept of Effective MassCARRIER CONCENTRATIONS IN SEMICONDUCTORSDonors and AcceptorsFermi-LevelCarrier Concentration EquationsDonors and Acceptors Both PresentCONDUCTION IN SEMICONDUCTORSCarrier Read more…

Abstract: ATOMS AND BONDINGThe Periodic TableIonic BondingCovalent BondingMetallic bondingvan der Waals BondingStart a DatabaseENERGY BANDS AND EFFECTIVE MASSSemiconductors, Insulators and MetalsSemiconductorsInsulatorsMetalsThe Concept of Effective MassCARRIER CONCENTRATIONS IN SEMICONDUCTORSDonors and AcceptorsFermi-LevelCarrier Concentration EquationsDonors and Acceptors Both PresentCONDUCTION IN SEMICONDUCTORSCarrier DriftCarrier MobilitySaturated Drift VelocityMobility Variation with TemperatureA Derivation of Ohm’s LawDrift Current EquationsSemiconductor Band Diagrams with an Electric Field Presen

————————————————————–

ترجمه ماشینی :

اتم ها و پیوند جدول تناوبی پیوند یونی پیوند کووالانسی پیوند فلزی پیوند واندروالس پیوند فلزی باندهای انرژی و جرم موثر نیمه هادی ها، عایق ها و فلزات نیمه هادی ها عایق ها فلزات مفهوم گیرنده های موثر در جرمگیرنده ها و فلزات معادلات غلظت mi-LevelCarrier اهداکنندگان و پذیرندگان هر دو هدایت را در نیمه هادی ها ارائه می دهند تحرک حامل رانش اشباع شده سرعت حرکت متغیر با دمابرگرفته از معادلات جریان قانون رانش اهم نمودارهای نوار نیمه هادی با میدان الکتریکی ارائه شده است.