توضیحات
This thesis presents the SiGe source and drain (S/D) technology in the context of advanced CMOS, and addresses both device processing and epitaxy modelling.
As the CMOS technology roadmap calls for continuously downscaling traditional transistor structures, controlling the parasitic effects of transistors, e.g. short channel effect, parasitic resistances and capacitances is becoming increasingly difficult. The emergence of these problems sparked a technological revolution, where a transition from planar to three-dimensional (3D) transistor design occurred in the 22nm technology node.
The selective epitaxial growth (SEG) method has been used to deposit SiGe as stressor material in S/D regions to induce uniaxial strain in the channel region. The thesis investigates issues of process integration in IC production and concentrates on the key parameters of high-quality SiGe selective epitaxial growth, with a special focus on its pattern dependency behavior and on key integration issues in both 2D and 3D transistor structures, the goal being to improve future applications of SiGe SEG in advanced CMOS.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
این پایان نامه فناوری SIGE و فناوری تخلیه (S/D) را در زمینه CMO های پیشرفته ارائه می دهد و هم پردازش دستگاه و هم مدل سازی اپیتاکس را مورد بررسی قرار می دهد.
همانطور که نقشه راه فناوری CMOS خواستار پایین آمدن مداوم ساختارهای سنتی ترانزیستور ، کنترل اثرات انگلی ترانزیستورها است ، به عنوان مثال. اثر کانال کوتاه ، مقاومتهای انگلی و خازن به طور فزاینده ای دشوار می شود. ظهور این مشکلات باعث ایجاد یک انقلاب تکنولوژیکی شد ، جایی که انتقال از طراحی ترانزیستور مسطح به سه بعدی (3D) در گره فناوری 22 نانومتری رخ داد.
از روش رشد انتخابی اپیتاکسیال (SEG) برای رسوب SIGE به عنوان ماده استرس زا در مناطق S/D برای القاء فشار یک محوره در منطقه کانال استفاده شده است. این پایان نامه موضوعات مربوط به ادغام فرآیند در تولید IC را بررسی می کند و بر پارامترهای کلیدی رشد انتخابی اپیتاکسیال با کیفیت بالا ، با تمرکز ویژه بر رفتار وابستگی به الگوی آن و موضوعات کلیدی ادغام در ساختارهای ترانزیستور 2D و 3D متمرکز می شود ، هدف این هدف است. برای بهبود برنامه های آینده SIGE SEG در CMO های پیشرفته.
tag : دانلود کتاب بررسی در مورد Epitaxy انتخابی SIGE برای مهندسی منبع و تخلیه در گره فناوری CMOS 22 نانومتر و فراتر از آن , Download بررسی در مورد Epitaxy انتخابی SIGE برای مهندسی منبع و تخلیه در گره فناوری CMOS 22 نانومتر و فراتر از آن , دانلود بررسی در مورد Epitaxy انتخابی SIGE برای مهندسی منبع و تخلیه در گره فناوری CMOS 22 نانومتر و فراتر از آن , Download Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond Book , بررسی در مورد Epitaxy انتخابی SIGE برای مهندسی منبع و تخلیه در گره فناوری CMOS 22 نانومتر و فراتر از آن دانلود , buy بررسی در مورد Epitaxy انتخابی SIGE برای مهندسی منبع و تخلیه در گره فناوری CMOS 22 نانومتر و فراتر از آن , خرید کتاب بررسی در مورد Epitaxy انتخابی SIGE برای مهندسی منبع و تخلیه در گره فناوری CMOS 22 نانومتر و فراتر از آن , دانلود کتاب Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond , کتاب Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond , دانلود Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond , خرید Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond , خرید کتاب Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond ,
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.