توضیحات
Co-integration of sensors with their associated electronics on a single silicon chip may provide many significant benefits regarding performance, reliability, miniaturization and process simplicity without significantly increasing the total cost.Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-integration covers the challenges and interests and demonstrates the successful co-integration of gas-flow sensors on dielectric membrane, with their associated electronics, in CMOS-SOI technology.We firstly investigate the extraction of residual stress in thin layers and in their stacking and the release, in post-processing, of a 1 m-thick robust and flat dielectric multilayered membrane using Tetramethyl Ammonium Hydroxide (TMAH) silicon micromachining solution. The optimization of its selectivity towards aluminum is largely demonstrated.The second part focuses on sensors design and characteristics. A novel loop-shape polysilicon microheater is designed and built in a CMOS-SOI standard process. High thermal uniformity, low power consumption and high working temperature are confirmed by extensive measurements. The additional gas flow sensing layers are judiciously chosen and implemented. Measurements in the presence of a nitrogen flow and gas reveal fair sensitivity on a large flow velocity range as well as good response to many gases. Finally, MOS transistors suspended on released dielectric membranes are presented and fully characterized as a concluding demonstrator of the co-integration in SOI technology.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
ادغام سنسورها با الکترونیک مرتبط با آنها در یک تراشه سیلیکون تنها ممکن است مزایای قابل توجهی در مورد عملکرد ، قابلیت اطمینان ، مینیاتوریزاسیون و سادگی فرآیند بدون افزایش قابل توجهی در کل هزینه ها فراهم کند. و علاقه و نشان دادن همزمان موفقیت آمیز سنسورهای جریان گاز بر روی غشای دی الکتریک ، با الکترونیک مرتبط با آنها ، در فناوری CMOS-SOI. ما ابتدا استخراج استرس باقیمانده در لایه های نازک و در انباشت و انتشار آنها را در پست بررسی می کنیم. فرآیند ، از یک غشای چند لایه قوی و مسطح 1 m-thich با استفاده از محلول میکروماسیون سیلیکون تترامتیل آمونیوم (TMAH). بهینه سازی انتخاب آن نسبت به آلومینیوم تا حد زیادی نشان داده شده است. بخش دوم بر طراحی و خصوصیات سنسورها متمرکز است. یک میکرو هیتر جدید Polysilicon به شکل حلقه ای در یک فرآیند استاندارد CMOS-SOI طراحی و ساخته شده است. یکنواختی حرارتی بالا ، مصرف انرژی کم و دمای کار بالا با اندازه گیری های گسترده تأیید می شود. لایه های سنجش جریان اضافی گاز به طور معقول انتخاب و اجرا می شوند. اندازه گیری در حضور جریان و گاز نیتروژن ، حساسیت نسبتاً خوبی را در محدوده سرعت جریان بزرگ و همچنین پاسخ خوب به بسیاری از گازها نشان می دهد. سرانجام ، ترانزیستورهای MOS که در غشاهای دی الکتریک آزاد شده به حالت تعلیق در می آیند ، ارائه می شوند و کاملاً به عنوان یک تظاهرات نتیجه گیری از همبستگی در فناوری SOI مشخص می شوند.
tag : دانلود کتاب سنسورهای فیلم نازک ریز برای ادغام SOI-CMOS , Download سنسورهای فیلم نازک ریز برای ادغام SOI-CMOS , دانلود سنسورهای فیلم نازک ریز برای ادغام SOI-CMOS , Download Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-Integration Book , سنسورهای فیلم نازک ریز برای ادغام SOI-CMOS دانلود , buy سنسورهای فیلم نازک ریز برای ادغام SOI-CMOS , خرید کتاب سنسورهای فیلم نازک ریز برای ادغام SOI-CMOS , دانلود کتاب Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-Integration , کتاب Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-Integration , دانلود Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-Integration , خرید Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-Integration , خرید کتاب Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-Integration ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.