توضیحات
The electronic device based on Metal Oxide Semiconductor (MOS) structure is the most important component of a large-scale integrated circuit, and is therefore a fundamental building block of the information society. Indeed, high quality MOS structure is the key to achieving high performance devices and integrated circuits. Meanwhile, the control of interface physics, process and characterization methods determine the quality of MOS structure.
This book tries to answer five key questions: Why are high-performance integrated circuits bonded together so closely with MOS structure? Which physical phenomena occur in MOS structure? How do these phenomena affect the performance of MOS structure? How can we observe and quantify these phenomena scientifically? How to control the above phenomena through process? Principles are explained based on common experimental phenomena, from sensibility to rationality, via abundant experimental examples focusing on MOS structure, including specific experimental steps with a strong level of operability.
This book will be an essential reference for engineers in semiconductor related fields and academics and postgraduates within the field of microelectronics.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
دستگاه الکترونیکی مبتنی بر ساختار نیمه هادی اکسید فلزی (MOS) مهمترین جزء یک مدار مجتمع در مقیاس بزرگ است و بنابراین یک بلوک ساختمانی اساسی برای جامعه اطلاعاتی است. در واقع، ساختار MOS با کیفیت بالا، کلید دستیابی به دستگاهها و مدارهای مجتمع با عملکرد بالا است. در همین حال، کنترل فیزیک رابط، فرآیند و روشهای مشخصسازی کیفیت ساختار MOS را تعیین میکند.
این کتاب سعی میکند به پنج سوال کلیدی پاسخ دهد: چرا مدارهای مجتمع با کارایی بالا به هم متصل هستند. با ساختار MOS بسیار نزدیک؟ کدام پدیده فیزیکی در ساختار MOS رخ می دهد؟ این پدیده ها چگونه بر عملکرد ساختار MOS تأثیر می گذارند؟ چگونه میتوانیم این پدیدهها را به صورت علمی مشاهده و کمیت کنیم؟ چگونه می توان پدیده های فوق را از طریق فرآیند کنترل کرد؟ اصول بر اساس پدیدههای تجربی رایج، از حساسیت تا عقلانیت، از طریق مثالهای تجربی فراوان با تمرکز بر ساختار MOS، از جمله مراحل آزمایشی خاص با سطح قوی عملکرد، توضیح داده میشوند.
این کتاب یک مرجع ضروری برای مهندسان در زمینه های مرتبط با نیمه هادی ها و دانشگاهیان و فارغ التحصیلان در زمینه میکروالکترونیک خواهد بود.
tag : دانلود کتاب فیزیک رابط MOS، فرآیند و خصوصیات , Download فیزیک رابط MOS، فرآیند و خصوصیات , دانلود فیزیک رابط MOS، فرآیند و خصوصیات , Download MOS Interface Physics, Process and Characterization Book , فیزیک رابط MOS، فرآیند و خصوصیات دانلود , buy فیزیک رابط MOS، فرآیند و خصوصیات , خرید کتاب فیزیک رابط MOS، فرآیند و خصوصیات , دانلود کتاب MOS Interface Physics, Process and Characterization , کتاب MOS Interface Physics, Process and Characterization , دانلود MOS Interface Physics, Process and Characterization , خرید MOS Interface Physics, Process and Characterization , خرید کتاب MOS Interface Physics, Process and Characterization ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.