توضیحات
All model parameters are fundamentally coupled together, so that directly measured individual parameters, although widely used and accepted, may initially only serve as good estimates. This comprehensive resource presents all aspects concerning the modeling of semiconductor field-effect device parameters based on gallium-arsenide (GaAs) and generative adversarial network (GaN) technology. Metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs), high electron mobility transistors (HEMTs) and heterojunction bipolar transistors (HBTs), their structures and functions, and existing transistor models are also classified. The Shockley model is presented in order to give insight into semiconductor field-effect transistor (FET) device physics and explain the relationship between geometric and material parameters and device performance. Extraction of trapping and thermal time constants is discussed. A special section is devoted to standard nonlinear FET models applied to large-signal measurements, including static-/pulsed-DC and single-/two-tone stimulation. High power measurement setups for signal waveform measurement, wideband source-/load-pull measurement (including envelope source-/load pull) are also included, along with high-power intermodulation distortion (IMD) measurement setup (including envelope load-pull). Written by a world-renowned expert in the field, this book is the first to cover of all aspects of semiconductor FET device modeling in a single volume.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
همه پارامترهای مدل اساساً با هم جفت می شوند، به طوری که پارامترهای فردی که مستقیماً اندازه گیری می شوند، اگرچه به طور گسترده مورد استفاده و پذیرفته شده اند، ممکن است در ابتدا فقط به عنوان تخمین های خوبی عمل کنند. این منبع جامع همه جنبههای مربوط به مدلسازی پارامترهای دستگاه اثر میدان نیمهرسانا را بر اساس فناوری گالیم-آرسنید (GaAs) و شبکه متخاصم مولد (GaN) ارائه میکند. ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی فلزی (MESFET)، ترانزیستورهای با تحرک الکترون بالا (HEMT) و ترانزیستورهای دوقطبی ناهمگونی (HBT)، ساختار و عملکرد آنها و مدل های ترانزیستور موجود نیز طبقه بندی می شوند. مدل شاکلی به منظور ارائه بینشی به فیزیک دستگاه ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی (FET) و توضیح رابطه بین پارامترهای هندسی و مواد و عملکرد دستگاه ارائه شده است. استخراج ثابت های زمانی به دام انداختن و حرارتی بحث شده است. بخش ویژهای به مدلهای استاندارد FET غیرخطی اختصاص داده شده است که برای اندازهگیریهای سیگنال بزرگ، از جمله تحریک استاتیکی/پالسی-DC و تحریک تک/دو تنی اعمال میشوند. تنظیمات اندازهگیری توان بالا برای اندازهگیری شکل موج سیگنال، اندازهگیری منبع باند پهن/بار-کشش (شامل منبع پاکت-/کشش بار) نیز همراه با تنظیم اندازهگیری اعوجاج درون مدولاسیون با توان بالا (IMD) (شامل بار کشش پاکت) گنجانده شده است. این کتاب که توسط یک متخصص مشهور جهان در این زمینه نوشته شده است، اولین کتابی است که تمام جنبه های مدل سازی دستگاه FET نیمه هادی را در یک جلد پوشش می دهد.
tag : دانلود کتاب استخراج پارامتر و مدل های ترانزیستور غیرخطی پیچیده (مایکروویو) , Download استخراج پارامتر و مدل های ترانزیستور غیرخطی پیچیده (مایکروویو) , دانلود استخراج پارامتر و مدل های ترانزیستور غیرخطی پیچیده (مایکروویو) , Download Parameter Extraction and Complex Nonlinear Transistor Models (Microwave) Book , استخراج پارامتر و مدل های ترانزیستور غیرخطی پیچیده (مایکروویو) دانلود , buy استخراج پارامتر و مدل های ترانزیستور غیرخطی پیچیده (مایکروویو) , خرید کتاب استخراج پارامتر و مدل های ترانزیستور غیرخطی پیچیده (مایکروویو) , دانلود کتاب Parameter Extraction and Complex Nonlinear Transistor Models (Microwave) , کتاب Parameter Extraction and Complex Nonlinear Transistor Models (Microwave) , دانلود Parameter Extraction and Complex Nonlinear Transistor Models (Microwave) , خرید Parameter Extraction and Complex Nonlinear Transistor Models (Microwave) , خرید کتاب Parameter Extraction and Complex Nonlinear Transistor Models (Microwave) ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.