توضیحات
Polycrystalline SiGe has emerged as a promising MEMS (Microelectromechanical Systems) structural material since it provides the desired mechanical properties at lower temperatures compared to poly-Si, allowing the direct post-processing on top of CMOS. This CMOS-MEMS monolithic integration can lead to more compact MEMS with improved performance. The potential of poly-SiGe for MEMS above-aluminum-backend CMOS integration has already been demonstrated. However, aggressive interconnect scaling has led to the replacement of the traditional aluminum metallization by copper (Cu) metallization, due to its lower resistivity and improved reliability.
Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS sensors demonstrates the compatibility of poly-SiGe with post-processing above the advanced CMOS technology nodes through the successful fabrication of an integrated poly-SiGe piezoresistive pressure sensor, directly fabricated above 0.13 m Cu-backend CMOS. Furthermore, this book presents the first detailed investigation on the influence of deposition conditions, germanium content and doping concentration on the electrical and piezoresistive properties of boron-doped poly-SiGe. The development of a CMOS-compatible process flow, with special attention to the sealing method, is also described. Piezoresistive pressure sensors with different areas and piezoresistor designs were fabricated and tested. Together with the piezoresistive pressure sensors, also functional capacitive pressure sensors were successfully fabricated on the same wafer, proving the versatility of poly-SiGe for MEMS sensor applications. Finally, a detailed analysis of the MEMS processing impact on the underlying CMOS circuit is also presented.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
SIGE پلی کریستالی به عنوان یک ماده ساختاری امیدوار کننده (سیستم های میکروالکترومکانیکی) ظاهر شده است زیرا این خصوصیات مکانیکی مورد نظر را در دماهای پایین تر در مقایسه با پلی SI فراهم می کند ، و این امکان را فراهم می کند که مستقیماً پس از پردازش در بالای CMOS انجام شود. این ادغام یکپارچه CMOS-MEMS می تواند با عملکرد بهبود یافته به MEM های جمع و جور تر منجر شود. پتانسیل پلی سیگ برای ادغام CMOS فوق آلومینیوم در بالا نشان داده شده است. با این حال ، مقیاس بندی اتصال تهاجمی منجر به جایگزینی فلز سازی آلومینیوم سنتی توسط فلز سازی مس (CU) شده است ، به دلیل مقاومت پایین تر و قابلیت اطمینان بهبود یافته.
پلی سیگ برای سنسورهای MEMS-ABOVE-CMOS سازگاری پلی سیگ را با پردازش پس از فرآیند بالاتر از گره های فناوری پیشرفته CMOS از طریق ساخت موفقیت آمیز یکپارچه یکپارچه نشان می دهد سنسور فشار Piezoresistive Sige ، به طور مستقیم بالاتر از 0.13 M CMOS CU-BACKEND CMO ساخته شده است. علاوه بر این ، این کتاب اولین بررسی دقیق در مورد تأثیر شرایط رسوب ، محتوای ژرمانیوم و غلظت دوپینگ بر روی خواص الکتریکی و پیزوره ای پلی سیگ دوپ شده بور ارائه شده است. توسعه یک فرآیند سازگار با CMOS ، با توجه ویژه به روش آب بندی ، نیز شرح داده شده است. سنسورهای فشار پیزوره ای با مناطق مختلف و طرح های Piezoresistor ساخته و آزمایش شدند. همراه با سنسورهای فشار پیزوره ای ، همچنین سنسورهای فشار خازنی عملکردی با موفقیت در همان ویفر ساخته شدند و اثبات تطبیق پذیری پلی سیگ برای کاربردهای سنسور MEMS. سرانجام ، تجزیه و تحلیل دقیق از تأثیر پردازش MEMS بر روی مدار CMOS اساسی نیز ارائه شده است.
tag : دانلود کتاب پلی سیگ برای سنسورهای MEMS-ABOVE-CMOS , Download پلی سیگ برای سنسورهای MEMS-ABOVE-CMOS , دانلود پلی سیگ برای سنسورهای MEMS-ABOVE-CMOS , Download Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors Book , پلی سیگ برای سنسورهای MEMS-ABOVE-CMOS دانلود , buy پلی سیگ برای سنسورهای MEMS-ABOVE-CMOS , خرید کتاب پلی سیگ برای سنسورهای MEMS-ABOVE-CMOS , دانلود کتاب Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors , کتاب Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors , دانلود Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors , خرید Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors , خرید کتاب Poly-SiGe for MEMS-above-CMOS Sensors ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.