توضیحات
This book provides a broad examination of redox-based resistive switching memories (ReRAM), a promising technology for novel types of nanoelectronic devices, according to the International Technology Roadmap for Semiconductors, and the materials and physical processes used in these ionic transport-based switching devices. It covers defect kinetic models for switching, ReRAM deposition/fabrication methods,tuning thin film microstructures, and material/device characterization and modeling.
A slate of world-renowned authors address the influence of type of ionic carriers, their mobility, the role of the local and chemical composition and environment, and facilitate readers understanding of the effects of composition and structure at different length scales (e.g., crystalline vs amorphous phases, impact of extended defects such as dislocations and grain boundaries). ReRAMs show outstanding potential for scaling down to the atomic level, fast operation in the nanosecond range, low power consumption, and non-volatile storage.
The book is ideal for materials scientists and engineers concerned with novel types of nanoelectronic devices such as memories, memristors, and switches for logic and neuromorphic computing circuits beyond the von Neumann concept.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
این کتاب بررسی گستردهای از حافظههای سوئیچینگ مقاومتی مبتنی بر ردوکس (ReRAM)، یک فناوری امیدوارکننده برای انواع جدید دستگاههای نانوالکترونیکی، طبق نقشه راه فناوری بینالمللی برای نیمهرساناها، و مواد و فرآیندهای فیزیکی مورد استفاده در این انتقال یونی ارائه میکند. دستگاه های سوئیچینگ مبتنی بر این مدلهای سینتیکی نقص برای سوئیچینگ، روشهای رسوب/ساخت ReRAM، تنظیم ریزساختار لایه نازک، و مشخصات و مدلسازی مواد/دستگاه را پوشش میدهد. تحرک آنها، نقش ترکیب محلی و شیمیایی و محیط، و درک خوانندگان از اثرات ترکیب و ساختار در مقیاس های طولی مختلف (به عنوان مثال، فازهای کریستالی در مقابل آمورف، تاثیر عیوب گسترده مانند نابجایی ها و مرزهای دانه) را تسهیل می کند. ReRAMها پتانسیل فوقالعادهای برای کاهش مقیاس تا سطح اتمی، عملکرد سریع در محدوده نانوثانیه، مصرف انرژی کم، و ذخیرهسازی غیرفرار نشان میدهند.
این کتاب برای دانشمندان و مهندسان مواد که با انواع جدید مرتبط هستند ایدهآل است. دستگاههای نانوالکترونیکی مانند حافظهها، ممریستورها و سوئیچها برای مدارهای محاسباتی منطقی و نورومورفیک فراتر از مفهوم فون نویمان.
tag : دانلود کتاب سوئیچینگ مقاومتی: مواد اکسیدی، مکانیسم ها، دستگاه ها و عملیات , Download سوئیچینگ مقاومتی: مواد اکسیدی، مکانیسم ها، دستگاه ها و عملیات , دانلود سوئیچینگ مقاومتی: مواد اکسیدی، مکانیسم ها، دستگاه ها و عملیات , Download Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations Book , سوئیچینگ مقاومتی: مواد اکسیدی، مکانیسم ها، دستگاه ها و عملیات دانلود , buy سوئیچینگ مقاومتی: مواد اکسیدی، مکانیسم ها، دستگاه ها و عملیات , خرید کتاب سوئیچینگ مقاومتی: مواد اکسیدی، مکانیسم ها، دستگاه ها و عملیات , دانلود کتاب Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations , کتاب Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations , دانلود Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations , خرید Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations , خرید کتاب Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.