توضیحات
Currently strain engineering is the main technique used to enhance the performance of advanced silicon-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Written from an engineering application standpoint, Strain-Engineered MOSFETs introduces promising strain techniques to fabricate strain-engineered MOSFETs and to methods to assess the applications of these techniques.
The book provides the background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOSFETs at nanoscale.
This book focuses on recent developments in strain-engineered MOSFETS implemented in high-mobility substrates such as, Ge, SiGe, strained-Si, ultrathin germanium-on-insulator platforms, combined with high-k insulators and metal-gate. It covers the materials aspects, principles, and design of advanced devices, fabrication, and applications. It also presents a full technology computer aided design (TCAD) methodology for strain-engineering in Si-CMOS technology involving data flow from process simulation to process variability simulation via device simulation and generation of SPICE process compact models for manufacturing for yield optimization.
Microelectronics fabrication is facing serious challenges due to the introduction of new materials in manufacturing and fundamental limitations of nanoscale devices that result in increasing unpredictability in the characteristics of the devices. The down scaling of CMOS technologies has brought about the increased variability of key parameters affecting the performance of integrated circuits. This book provides a single text that combines coverage of the strain-engineered MOSFETS and their modeling using TCAD, making it a tool for process technology development and the design of strain-engineered MOSFETs.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
مهندسی کرنش در حال حاضر تکنیک اصلی مورد استفاده برای تقویت عملکرد ترانزیستورهای زمینه ای-اثر فلزی-اکسید-اژیمیایی مبتنی بر سیلیکون (MOSFETS) است. MOSFETS با مهندسی کرنش که از دیدگاه برنامه مهندسی نوشته شده است ، تکنیک های کرنش امیدوار کننده ای را برای ساخت MOSFET های مهندسی کرنش و روش هایی برای ارزیابی کاربردهای این تکنیک ها معرفی می کند. در مدل سازی و طراحی N- و P-mosfets در نانو. سیستم عامل های سازنده ، همراه با عایق های k بالا و دروازه فلزی. این جنبه ها ، اصول و طراحی دستگاه های پیشرفته ، ساخت و برنامه های کاربردی را در بر می گیرد. این همچنین یک روش کامل طراحی رایانه ای با کمک رایانه (TCAD) برای مهندسی کرنش در فناوری SI-CMOS شامل جریان داده ها از شبیه سازی فرآیند تا شبیه سازی فرآیند از طریق شبیه سازی دستگاه و تولید مدلهای فشرده فرآیند ادویه برای تولید بهینه سازی عملکرد را ارائه می دهد.
ساخت میکروالکترون به دلیل معرفی مواد جدید در ساخت و محدودیت های اساسی دستگاه های نانو که منجر به افزایش غیرقابل پیش بینی در ویژگی های دستگاه ها می شود ، با چالش های جدی روبرو است. پایین آمدن فن آوری های CMOS باعث افزایش تنوع پارامترهای کلیدی مؤثر بر عملکرد مدارهای یکپارچه شده است. این کتاب یک متن واحد را ارائه می دهد که ترکیب پوشش MOSFET های مهندسی شده و مدل سازی آنها با استفاده از TCAD است و آن را به ابزاری برای توسعه فناوری فرآیند و طراحی MOSFET های مهندسی شده است.
tag : دانلود کتاب MOSFET های مهندسی شده , Download MOSFET های مهندسی شده , دانلود MOSFET های مهندسی شده , Download Strain-Engineered MOSFETs Book , MOSFET های مهندسی شده دانلود , buy MOSFET های مهندسی شده , خرید کتاب MOSFET های مهندسی شده , دانلود کتاب Strain-Engineered MOSFETs , کتاب Strain-Engineered MOSFETs , دانلود Strain-Engineered MOSFETs , خرید Strain-Engineered MOSFETs , خرید کتاب Strain-Engineered MOSFETs ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.