دانلود کتاب The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices – مهندسی منبع/تخلیه دستگاه‌های MOS مبتنی بر ژرمانیوم در مقیاس نانو

دسته بندی :
اطلاعات کتاب
  • جلد
  • سری Springer Theses
  • ویرایش 1
  • سال 2016
  • نویسنده (گان) Zhiqiang Li (auth.)
  • ناشر Springer-Verlag Berlin Heidelberg
  • زبان English
  • تعداد صفحات 71
  • حجم فایل 3.8MB
  • فرمت فایل pdf
  • شابک 9783662496817, 9783662496831
قیمت محصول :

۴۵,۰۰۰ تومان

با خرید این محصول، ۲,۲۵۰ تومان به کیف پول شما بازگشت داده می‌شود

روند خرید و دریافت کتاب‌ها بدون هیچ اختلالی انجام می‌شود.
تمامی فایل‌ها بر روی سرورهای داخلی میزبانی می‌شوند تا بتوانید به راحتی و در لحظه آن‌ها را دانلود کنید. در صورت بروز هرگونه مشکل یا نیاز به راهنمایی، لطفاً از طریق « صفحه تماس باما» با تیم پشتیبانی در ارتباط باشید.

تمامی کتاب های موجود در وبسایت سای وان به زبان انگلیسی میباشد
در صورتی که فرمت کتاب دریافتی mobi، azw3 ، epub یا djvu می باشد، جهت راهنمای مطالعه اینجا کلیک کنید.

توضیحات

This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8107cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.

————————————————————–

ترجمه ماشینی :

این کتاب عمدتاً بر کاهش مقاومت انگلی بالا در منبع/زهکشی nMOSFET ژرمانیوم تمرکز دارد. با استفاده از روش کاشت پس از ژرماناید (IAG)، روش کاشت همزمان P و Sb و تکنیک کاشت چندگانه و بازپخت چندگانه (MIMA)، ارتفاع سد الکترونی شاتکی تماس NiGe/Ge به 0.1eV تعدیل می‌شود، که پایداری حرارتی NiGe به 600 بهبود یافته است و مقاومت تماس تماس فلز/n-Ge به ترتیب به 3.8107cm2 به شدت کاهش یافته است. علاوه بر این، کاهش مقاومت انگلی منبع / تخلیه در Ge nMOSFET ساخته شده نشان داده شده است. خوانندگان اطلاعات مفیدی در مورد تکنیک مهندسی منبع/تخلیه برای دستگاه‌های CMOS با کارایی بالا در نود فناوری آینده پیدا خواهند کرد.

 

tag : دانلود کتاب مهندسی منبع/تخلیه دستگاه‌های MOS مبتنی بر ژرمانیوم در مقیاس نانو , Download مهندسی منبع/تخلیه دستگاه‌های MOS مبتنی بر ژرمانیوم در مقیاس نانو , دانلود مهندسی منبع/تخلیه دستگاه‌های MOS مبتنی بر ژرمانیوم در مقیاس نانو , Download The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices Book , مهندسی منبع/تخلیه دستگاه‌های MOS مبتنی بر ژرمانیوم در مقیاس نانو دانلود , buy مهندسی منبع/تخلیه دستگاه‌های MOS مبتنی بر ژرمانیوم در مقیاس نانو , خرید کتاب مهندسی منبع/تخلیه دستگاه‌های MOS مبتنی بر ژرمانیوم در مقیاس نانو , دانلود کتاب The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices , کتاب The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices , دانلود The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices , خرید The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices , خرید کتاب The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices ,

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “دانلود کتاب The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices – مهندسی منبع/تخلیه دستگاه‌های MOS مبتنی بر ژرمانیوم در مقیاس نانو”