توضیحات
Today, the availability of bright and highly coherent electron sources and sensitive detectors has radically changed the type and quality of the information which can be obtained by transmission electron microscopy (TEM). TEMs are now present in large numbers not only in academia, but also in industrial research centers and fabs.
This book presents in a simple and practical way the new quantitative techniques based on TEM which have recently been invented or developed to address most of the main challenging issues scientists and process engineers have to face to develop or optimize semiconductor layers and devices. Several of these techniques are based on electron holography; others take advantage of the possibility of focusing intense beams within nanoprobes. Strain measurements and mappings, dopant activation and segregation, interfacial reactions at the nanoscale, defect identification and specimen preparation by FIB are among the topics presented in this book. After a brief presentation of the underlying theory, each technique is illustrated through examples from the lab or fab.
Content:
Chapter 1 Active Dopant Profiling in the TEM by Off?Axis Electron Holography (pages 136): David Cooper
Chapter 2 Dopant Distribution Quantitative Analysis Using STEM?EELS/EDX Spectroscopy Techniques (pages 3764): Roland Pantel and Germain Servanton
Chapter 3 Quantitative Strain Measurement in Advanced Devices: A Comparison Between Convergent Beam Electron Diffraction and Nanobeam Diffraction (pages 6580): Laurent Clement and Dominique Delille
Chapter 4 Dark?Field Electron Holography for Strain Mapping (pages 81106): Martin Hytch, Florent Houdellier, Nikolay Cherkashin, Shay ReboH, Elsa Javon, Patrick Benzo, Christophe Gatel, Etienne Snoeck and Alain Claverie
Chapter 5 Magnetic Mapping Using Electron Holography (pages 107134): Etienne Snoeck and Christophe Gatel
Chapter 6 Interdiffusion and Chemical Reaction at Interfaces by TEM/EELS (pages 135164): Sylvie Schamm?Chardon
Chapter 7 Characterization of Process?Induced Defects (pages 165198): Nikolay Cherkashin and Alain Claverie
Chapter 8 In Situ Characterization Methods in Transmission Electron Microscopy (pages 199218): Aurelien Masseboeuf
Chapter 9 Specimen Preparation for Semiconductor Analysis (pages 219236): David Cooper and Gerard Ben Assayag
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
امروز ، در دسترس بودن منابع الکترونیکی روشن و بسیار منسجم و آشکارسازهای حساس ، نوع و کیفیت اطلاعاتی را که می توان با میکروسکوپ الکترونی انتقال (TEM) به دست آورد ، به طور اساسی تغییر داده است. اکنون TEM ها نه تنها در آکادمی ، بلکه در مراکز تحقیقاتی صنعتی و فاب ها نیز در تعداد زیادی حضور دارند. بسیاری از موضوعات اصلی چالش برانگیز دانشمندان و مهندسان فرآیند برای توسعه یا بهینه سازی لایه ها و دستگاه های نیمه هادی باید با آن روبرو شوند. چندین مورد از این تکنیک ها مبتنی بر هولوگرافی الکترونی است. برخی دیگر از احتمال تمرکز پرتوهای شدید در نانوذرات استفاده می کنند. اندازه گیری کرنش و نگاشت ، فعال سازی دوپانت و تفکیک ، واکنشهای سطحی در نا
tag : دانلود کتاب میکروسکوپ الکترونی عبوری در میکرو نانوالکترونیک , Download میکروسکوپ الکترونی عبوری در میکرو نانوالکترونیک , دانلود میکروسکوپ الکترونی عبوری در میکرو نانوالکترونیک , Download Transmission Electron Microscopy in Micro-Nanoelectronics Book , میکروسکوپ الکترونی عبوری در میکرو نانوالکترونیک دانلود , buy میکروسکوپ الکترونی عبوری در میکرو نانوالکترونیک , خرید کتاب میکروسکوپ الکترونی عبوری در میکرو نانوالکترونیک , دانلود کتاب Transmission Electron Microscopy in Micro-Nanoelectronics , کتاب Transmission Electron Microscopy in Micro-Nanoelectronics , دانلود Transmission Electron Microscopy in Micro-Nanoelectronics , خرید Transmission Electron Microscopy in Micro-Nanoelectronics , خرید کتاب Transmission Electron Microscopy in Micro-Nanoelectronics ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.