توضیحات
Since scaling of CMOS is reaching the nanometer area serious limitations enforce the introduction of novel materials, device architectures and device concepts. Multi-gate devices employing high-k gate dielectrics are considered as promising solution overcoming these scaling limitations of conventional planar bulk CMOS. Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies provides a technology oriented assessment of analog and mixed-signal circuits in emerging high-k and multi-gate CMOS technologies. Closing the gap from technology to design a detailed insight into circuit performance trade-offs related to multi-gate and high-k device specifics is provided. The new effect of transient threshold voltage variations is described with an equivalent model that allows a systematic assessment of the consequences on circuit level and the development of countermeasures to compensate for performance degradation in comparators and A/D converters. Key analog, mixed-signal and RF building blocks are realized in high-k multi-gate technology and benchmarked against planar bulk. Performance and area benefits, enabled by advantageous multi-gate device properties are analytically and experimentally quantified for reference circuits, operational amplifiers and D/A converters. This is based on first time silicon investigations of complex mixed-signal building blocks as D/A converter and PLL with multi-gate devices. As another first, the integration of tunnel transistors in a multi-gate process is described, enabling devices with promising scaling and analog properties. Based on these devices a novel reference circuit is proposed which features low power consumption.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
از آنجایی که مقیاسپذیری CMOS در حال رسیدن به حوزه نانومتری است، محدودیتهای جدی معرفی مواد جدید، معماریهای دستگاه و مفاهیم دستگاه اعمال میشود. دستگاههای چند دروازهای که از دیالکتریکهای گیت با کیفیت بالا استفاده میکنند، به عنوان راهحل امیدوارکنندهای برای غلبه بر این محدودیتهای مقیاسپذیری CMOS فلهای مسطح معمولی در نظر گرفته میشوند. طراحی مدار آنالوگ و سیگنال مختلط آگاه از تغییرات در فناوریهای CMOS چند دروازهای نوظهور یک ارزیابی مبتنی بر فناوری از مدارهای آنالوگ و سیگنال مختلط در فناوریهای نوظهور CMOS با گیت بالا و چند دروازه ارائه میکند. بستن شکاف از فناوری برای طراحی بینشی دقیق در مورد مبادلات عملکرد مدار مربوط به ویژگیهای دستگاه چند گیت و high-k ارائه شده است. اثر جدید تغییرات ولتاژ آستانه گذرا با یک مدل معادل توصیف میشود که به ارزی
tag : دانلود کتاب طراحی مدار سیگنال مختلط و آنالوگ آگاه در فناوری های نوظهور CMOS چند دروازه ای , Download طراحی مدار سیگنال مختلط و آنالوگ آگاه در فناوری های نوظهور CMOS چند دروازه ای , دانلود طراحی مدار سیگنال مختلط و آنالوگ آگاه در فناوری های نوظهور CMOS چند دروازه ای , Download Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies Book , طراحی مدار سیگنال مختلط و آنالوگ آگاه در فناوری های نوظهور CMOS چند دروازه ای دانلود , buy طراحی مدار سیگنال مختلط و آنالوگ آگاه در فناوری های نوظهور CMOS چند دروازه ای , خرید کتاب طراحی مدار سیگنال مختلط و آنالوگ آگاه در فناوری های نوظهور CMOS چند دروازه ای , دانلود کتاب Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies , کتاب Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies , دانلود Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies , خرید Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies , خرید کتاب Variation Aware Analog and Mixed-Signal Circuit Design in Emerging Multi-Gate CMOS Technologies ,
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.