دانلود کتاب Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices – مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده

دسته بندی :
اطلاعات کتاب
  • جلد
  • سری IET Energy Engineering 128
  • ویرایش
  • سال 2018
  • نویسنده (گان) Fei (Fred) Wang, Zheyu Zhang, and Edward A. Jones
  • ناشر The Institution of Engineering and Technology
  • زبان English
  • تعداد صفحات 350
  • حجم فایل 78.89MB
  • فرمت فایل pdf
  • شابک 9781785614910, 1785614916
قیمت محصول :

۴۵,۰۰۰ تومان

با خرید این محصول، ۲,۲۵۰ تومان به کیف پول شما بازگشت داده می‌شود

روند خرید و دریافت کتاب‌ها بدون هیچ اختلالی انجام می‌شود.
تمامی فایل‌ها بر روی سرورهای داخلی میزبانی می‌شوند تا بتوانید به راحتی و در لحظه آن‌ها را دانلود کنید. در صورت بروز هرگونه مشکل یا نیاز به راهنمایی، لطفاً از طریق « صفحه تماس باما» با تیم پشتیبانی در ارتباط باشید.

تمامی کتاب های موجود در وبسایت سای وان به زبان انگلیسی میباشد

توضیحات

At the heart of modern power electronics converters are power semiconductor switching devices. The emergence of wide bandgap (WBG) semiconductor devices, including silicon carbide and gallium nitride, promises power electronics converters with higher efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost than converters using the established siliconbased devices.

However, WBG devices pose new challenges for converter design and require more careful characterization, in particular due to their fast switching speed and more stringent need for protection. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices presents comprehensive methods with examples for the characterization of this important class of power devices. After an introduction, the book covers pulsed static characterization; junction capacitance characterization; fundamentals of dynamic characterization; gate drive for dynamic characterization; layout design and parasitic management; protection design for double pulse test; measurement and data processing for dynamic characterization; cross-talk consideration; impact of three-phase system; and topology considerations.

————————————————————–

ترجمه ماشینی :

در قلب مبدل های الکترونیک قدرت مدرن، دستگاه های سوئیچینگ نیمه هادی قدرت قرار دارند. ظهور دستگاه‌های نیمه‌رسانا با گپ گسترده (WBG)، از جمله کاربید سیلیکون و نیترید گالیم، مبدل‌های الکترونیک قدرت با راندمان بالاتر، اندازه کوچک‌تر، وزن سبک‌تر و هزینه کمتر نسبت به مبدل‌هایی که از دستگاه‌های مبتنی بر سیلیکون استفاده می‌کنند، نوید می‌دهد. با این حال، دستگاه‌های WBG چالش‌های جدیدی را برای طراحی مبدل ایجاد می‌کنند و به خصوصیات دقیق‌تری نیاز دارند، به ویژه به دلیل سرعت سوئیچینگ سریع و نیاز شدیدتر به حفاظت. خصوصیات دستگاه های نیمه هادی قدرت باندگپ گسترده روش های جامعی را با مثال هایی برای توصیف این دسته مهم از دستگاه های قدرت ارائه می دهد. پس از مقدمه، کتاب خصوصیات استاتیک پالس را پوشش می دهد. مشخصه ظرفیت اتصال. اصول شخصیت پردازی پویا؛ درایو دروازه برای توصیف پویا. طراحی چیدمان و مدیریت انگلی؛ طراحی حفاظتی برای تست دو پالس؛ اندازه گیری و پردازش داده ها برای توصیف پویا. بررسی بحث متقابل؛ تاثیر سیستم سه فاز؛ و ملاحظات توپولوژی


 

tag : دانلود کتاب مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده , Download مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده , دانلود مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده , Download Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices Book , مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده دانلود , buy مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده , خرید کتاب مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده , دانلود کتاب Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices , کتاب Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices , دانلود Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices , خرید Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices , خرید کتاب Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices ,

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “دانلود کتاب Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices – مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده”