توضیحات
With the dawn of Gallium Oxide (Ga2O) and Aluminum Gallium Nitride (AlGaN) electronics and the commercialization of Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC) based devices, the field of wide bandgap materials and electronics has never been more vibrant and exciting than it is now. Wide bandgap semiconductors have had a strong presence in the research and development arena for many years. Recently, the increasing demand for high efficiency power electronics and high speed communication electronics, together with the maturity of the synthesis and fabrication of wide bandgap semicon-ductors, has catapulted wide bandgap electronics and optoelectronics into the mainstream.
Wide bandgap semiconductors exhibit excellent material properties, which can potentially enable power device operation at higher efficiency, higher temperatures, voltages, and higher switching speeds than current Si technology. This edited volume will serve as a useful reference for researchers in this field newcomers and experienced alike.
This book discusses a broad range of topics including fundamental transport studies, growth of high-quality films, advanced materials characterization, device modeling, high frequency, high voltage electronic devices and optical devices written by the experts in their respective fields. They also span the whole spectrum of wide bandgap materials including AlGaN, Ga2Oand diamond.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
با ظهور لوازم الکترونیکی گالیم اکسید (Ga2O) و نیترید آلومینیوم گالیم (AlGaN) و تجاری سازی دستگاه های مبتنی بر نیترید گالیوم (GaN) و کاربید سیلیکون (SiC)، زمینه مواد و لوازم الکترونیکی با فاصله باند گسترده هرگز بیشتر از این نبوده است. پر جنب و جوش و هیجان انگیز از آنچه اکنون است. نیمه هادی های باند گپ گسترده سال ها حضور پررنگی در عرصه تحقیق و توسعه داشته اند. اخیراً، تقاضای فزاینده برای الکترونیک قدرت با راندمان بالا و الکترونیک ارتباطی با سرعت بالا، همراه با بلوغ سنتز و ساخت نیمه هادی های باندگپ گسترده، الکترونیک و اپتوالکترونیک با فاصله باند گسترده را وارد جریان اصلی کرده است.
نیمههادیهای باند گپ گسترده، خواص مواد عالی را نشان میدهند، که به طور بالقوه میتواند عملکرد دستگاه برق را در راندمان بالاتر، دماها، ولتاژها و سرعتهای سوئیچ بالاتر نسبت به فناوری فعلی Si فعال کند. این جلد ویرایش شده به عنوان مرجع مفیدی برای محققان در این زمینه تازه واردان و با تجربهها خواهد بود.
این کتاب طیف گستردهای از موضوعات از جمله مطالعات اساسی حملونقل، رشد فیلمهای با کیفیت بالا، مشخصات مواد پیشرفته، مدل سازی دستگاه، فرکانس بالا، دستگاه های الکترونیکی ولتاژ بالا و دستگاه های نوری نوشته شده توسط متخصصان در زمینه مربوطه. آنها همچنین طیف وسیعی از مواد باندگپ گسترده از جمله AlGaN، Ga2O و الماس را در بر می گیرند.
tag : دانلود کتاب تجهیزات و الکترونیک نیمه هادی باندگپ گسترده: 63 (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها) , Download تجهیزات و الکترونیک نیمه هادی باندگپ گسترده: 63 (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها) , دانلود تجهیزات و الکترونیک نیمه هادی باندگپ گسترده: 63 (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها) , Download Wide Bandgap Semiconductor Electronics And Devices: 63 (Selected Topics in Electronics and Systems) Book , تجهیزات و الکترونیک نیمه هادی باندگپ گسترده: 63 (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها) دانلود , buy تجهیزات و الکترونیک نیمه هادی باندگپ گسترده: 63 (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها) , خرید کتاب تجهیزات و الکترونیک نیمه هادی باندگپ گسترده: 63 (موضوعات منتخب در الکترونیک و سیستم ها) , دانلود کتاب Wide Bandgap Semiconductor Electronics And Devices: 63 (Selected Topics in Electronics and Systems) , کتاب Wide Bandgap Semiconductor Electronics And Devices: 63 (Selected Topics in Electronics and Systems) , دانلود Wide Bandgap Semiconductor Electronics And Devices: 63 (Selected Topics in Electronics and Systems) , خرید Wide Bandgap Semiconductor Electronics And Devices: 63 (Selected Topics in Electronics and Systems) , خرید کتاب Wide Bandgap Semiconductor Electronics And Devices: 63 (Selected Topics in Electronics and Systems) ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.