دانلود کتاب Cluster Secondary Ion Mass Spectrometry: Principles and Applications – طیف سنجی جرمی یون ثانویه خوشه: اصول و برنامه ها

توضیحات

Explores the impact of the latest breakthroughs in cluster SIMS technology

Cluster secondary ion mass spectrometry (SIMS) is a high spatial resolution imaging mass spectrometry technique, which can be used to characterize the three-dimensional chemical structure in complex organic and molecular systems. It works by using a cluster ion source to sputter desorb material from a solid sample surface. Prior to the advent of the cluster source, SIMS was severely limited in its ability to characterize soft samples as a result of damage from the atomic source. Molecular samples were essentially destroyed during analysis, limiting the method’s sensitivity and precluding compositional depth profiling. The use of new and emerging cluster ion beam technologies has all but eliminated these limitations, enabling researchers to enter into new fields once considered unattainable by the SIMS method.

With contributions from leading mass spectrometry researchers around the world, Cluster Secondary Ion Mass Spectrometry: Principles and Applications describes the latest breakthroughs in instrumentation, and addresses best practices in cluster SIMS analysis. It serves as a compendium of knowledge on organic and polymeric surface and in-depth characterization using cluster ion beams. It covers topics ranging from the fundamentals and theory of cluster SIMS, to the important chemistries behind the success of the technique, as well as the wide-ranging applications of the technology. Examples of subjects covered include:

• Cluster SIMS theory and modeling
• Cluster ion source types and performance expectations
• Cluster ion beams for surface analysis experiments
• Molecular depth profiling and 3-D analysis with cluster ion beams
• Specialty applications ranging from biological samples analysis to semiconductors/metals analysis
• Future challenges and prospects for cluster SIMS

This book is intended to benefit any scientist, ranging from beginning to advanced in level, with plenty of figures to help better understand complex concepts and processes. In addition, each chapter ends with a detailed reference set to the primary literature, facilitating further research into individual topics where desired. Cluster Secondary Ion Mass Spectrometry: Principles and Applications is a must-have read for any researcher in the surface analysis and/or imaging mass spectrometry fields.Content:
Chapter 1 An Introduction to Cluster Secondary Ion Mass Spectrometry (Cluster SIMS) (pages 111): Christine M. Mahoney and Greg Gillen
Chapter 2 Cluster SIMS of Organic Materials: Theoretical Insights (pages 1355): Arnaud Delcorte, Oscar A. Restrepo and Bartlomiej Czerwinski
Chapter 3 Ion Sources Used for Secondary Ion Mass Spectrometry (pages 5775): Albert J. Fahey
Chapter 4 Surface Analysis of Organic Materials with Polyatomic Primary Ion Sources (pages 77116): Christine M. Mahoney
Chapter 5 Molecular Depth Profiling with Cluster Ion Beams (pages 117205): Christine M. Mahoney and Andreas Wucher
Chapter 6 Three?Dimensional Imaging with Cluster Ion Beams (pages 207246): Andreas Wucher, Gregory L. Fisher and Christine M. Mahoney
Chapter 7 Cluster Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) For Semiconductor and Metals Depth Profiling (pages 247268): Greg Gillen and Joe Bennett
Chapter 8 Cluster TOF?SIMS Imaging and the Characterization of Biological Materials (pages 269312): John Vickerman and Nick Winograd
Chapter 9 Future Challenges and Prospects of Cluster SIMS (pages 313327): Peter Williams and Christine M. Mahoney

————————————————————–

ترجمه ماشینی :

تأثیر جدیدترین پیشرفت ها در فناوری Sims Cluster را بررسی می کند

طیف سنجی جرمی یون ثانویه خوشه (SIMS) یک تکنیک طیف سنجی جرمی با وضوح مکانی بالا است ، که می تواند مورد استفاده قرار گیرد. برای توصیف ساختار شیمیایی سه بعدی در سیستم های پیچیده آلی و مولکولی. این کار با استفاده از یک منبع یون خوشه ای برای لکه دار کردن مواد دفع از سطح نمونه جامد کار می کند. قبل از ظهور منبع خوشه ، سیمز در توانایی خود در توصیف نمونه های نرم در نتیجه آسیب از منبع اتمی به شدت محدود بود. نمونه های مولکولی اساساً در طول تجزیه و تحلیل از بین رفتند و حساسیت روش را محدود کردند و مانع از پروفایل عمق ترکیبی شدند. استفاده از فن آوری های پرتو یون خوشه جدید و در حال ظهور همه این محدودیت ها را از بین می برد و محققان را قادر می سازد تا با استفاده از روش SIMS ، وارد زمینه های جدید شوند.

با مشارکت محققان پیشرو در طیف سنجی جرمی در سراسر جهان ، طیف سنجی جرمی یون ثانویه خوشه: اصول و برنامه ها آخرین پیشرفت های موجود در ابزار دقیق را توصیف می کند و به بهترین روشها در تجزیه و تحلیل SIMS خوشه ای می پردازد. این مجموعه به عنوان مجموعه ای از دانش در سطح آلی و پلیمری و خصوصیات عمیق با استفاده از تیرهای یونی خوشه ای عمل می کند. این مباحث مختلف از اصول و تئوری سیم های خوشه ای ، گرفته تا شیمیایی مهم موفقیت این تکنیک و همچنین کاربردهای گسترده این فناوری را در بر می گیرد. نمونه هایی از موضوعات تحت پوشش عبارتند از:

• تئوری و مدل سازی خوشه ای Sims
• انواع منبع یون خوشه و انتظارات عملکرد
• تیرهای یونی خوشه ای برای آزمایش های تجزیه و تحلیل سطح

< لی> پروفایل عمق مولکولی و تجزیه و تحلیل 3 بعدی با تیرهای یونی خوشه ای

• برنامه های کاربردی تخصصی اعم از تجزیه و تحلیل نمونه های بیولوژیکی گرفته تا تجزیه و تحلیل نیمه هادی ها/فلزات >

این کتاب برای بهره مندی از هر دانشمندی ، از ابتدا تا پیشرفته در سطح ، با چهره های زیادی برای کمک به درک بهتر مفاهیم و فرآیندهای پیچیده است. علاوه بر این ، هر فصل با یک مرجع مفصل به ادبیات اولیه پایان می یابد و تحقیقات بیشتر در مورد موضوعات فردی را که در آن دلخواه است ، تسهیل می کند. طیف سنجی جرمی یون ثانویه خوشه: اصول و برنامه های کاربردی برای هر محقق در تجزیه و تحلیل سطح و/یا تصویربرداری از زمینه های طیف سنجی جرمی خوانده شده است. Contentent:
فصل 1 مقدمه ای برای یون ثانویه خوشه طیف سنجی جرمی (SIMS خوشه ای) (صفحات 111): Christine M. Mahoney و Greg Gillen
فصل 2 SIMS خوشه ای از مواد آلی: بینش نظری (صفحات 1355): Arnaud Delcorte ، Oscar A. Restrepo و Bartlomiej Czerwinski
فصل فصل 3 منبع یونی مورد استفاده برای طیف سنجی جرمی یون ثانویه (صفحات 5775): آلبرت جی. فهی
فصل 4 تجزیه و تحلیل سطح مواد آلی با منابع یونی اولیه پلیاتومیک (صفحات 77116): کریستین M. ماهونی
فصل 5 پروفایل عمق مولکولی با پرتوهای یونی خوشه ای (صفحات 117205): کریستین م. ماهونی و آندریاس واچر
فصل 6؟ تصویربرداری بعدی با تیرهای یونی خوشه ای (صفحات 207246): آندریاس وچر ، گرگوری ال. فیشر و کریستین م. ماهون
فصل فصل 7 طیف سنجی جرمی یون ثانویه خوشه (SIMS) برای پروفایل نیمه هادی و فلزات (صفحات 247268): گرگ گیلن و جو بنت
فصل 8 تصویربرداری خوشه ای TOF؟ SIMS و توصیف مواد بیولوژیکی (صفحات 269312): جان ویکرمن و نیک Winograd
فصل 9 چالش های آینده و چشم انداز Sims خوشه ای (صفحات 313327): پیتر ویلیامز و کریستین م. ماهونی