توضیحات
This book brings together recent research by scientists and device engineers working on both aggressively-scaled conventional transistors as well as unconventional high-frequency device concepts in the III-N material system. Device concepts for mm-wave to THz operation based on deeply-scaled HEMTs, as well as distributed device designs based on plasma-wave propagation in polarization-induced 2DEG channels, tunneling, and hot-carrier injection are discussed in detail. In addition, advances in the underlying materials science that enable these demonstrations, and advancements in metrology that permit the accurate characterization and evaluation of these emerging device concepts are also included. Targeting readers looking to push the envelope in GaN-based electronics device research, this book provides a current, comprehensive treatment of device concepts and physical phenomenology suitable for applying GaN and related materials to emerging ultra-high-frequency applications.
- Offers readers an integrated treatment of the state of the art in both conventional (i.e., HEMT) scaling as well as unconventional device architectures suitable for amplification and signal generation in the mm-wave and THz regime using GaN-based devices, written by authors that are active and widely-known experts in the field;
- Discusses both conventional scaled HEMTs (into the deep mm-wave) as well as unconventional approaches to address the mm-wave and THz regimes;
- Provides vertically integrated coverage, including materials science that enables these recent advances, as well as device physics & design, and metrology techniques;
- Includes fundamental physics, as well as numerical simulations and experimental realizations.
————————————————————–
ترجمه ماشینی :
این کتاب تحقیقات اخیر دانشمندان و مهندسان دستگاه را که در هر دو ترانزیستور معمولی با تهاجمی و همچنین مفاهیم دستگاه فرکانس بالا غیر متعارف در سیستم مواد III-N کار می کنند ، گرد هم آورده است. مفاهیم دستگاه برای عملکرد موج MM تا THZ بر اساس HEMT های عمیقاً مقیاس دار ، و همچنین طرح های دستگاه توزیع شده بر اساس انتشار موج پلاسما در کانال های 2DEG ناشی از قطبش ، تونل زنی و تزریق حامل داغ به تفصیل مورد بحث قرار گرفته است. علاوه بر این ، پیشرفت در علم مواد اساسی که این تظاهرات را امکان پذیر می کند ، و پیشرفت در اندازه گیری هایی که امکان توصیف دقیق و ارزیابی این مفاهیم دستگاه نوظهور را فراهم می کنند نیز گنجانده شده است. این کتاب با هدف قرار دادن خوانندگان به دنبال فشار دادن پاکت در تحقیقات دستگاه الکترونیکی مبتنی بر GAN ، این کتاب یک درمان فعلی و جامع از مفاهیم دستگاه و پدیدارشناسی فیزیکی مناسب برای استفاده از GAN و مواد مرتبط در برنامه های با فرکانس فوق العاده بالا را ارائه می دهد.
- به خوانندگان یک درمان یکپارچه از وضعیت هنر در هر دو مقیاس معمولی (یعنی HEMT) و همچنین معماری دستگاه های غیر متعارف مناسب برای تقویت و تولید سیگنال در ارائه می دهد. رژیم MM موج و THZ با استفاده از دستگاه های مبتنی بر GAN ، توسط نویسندگان که متخصصان فعال و کاملاً شناخته شده در این زمینه هستند ، نوشته شده است ؛ به عنوان رویکردهای غیر متعارف برای پرداختن به رژیم های موج MM و THZ ؛
- شامل فیزیک اساسی و همچنین شبیه سازی های عددی و تحقق آزمایشی است. >
tag : دانلود کتاب دستگاه های الکترونیکی GAN با فرکانس بالا , Download دستگاه های الکترونیکی GAN با فرکانس بالا , دانلود دستگاه های الکترونیکی GAN با فرکانس بالا , Download High-Frequency GaN Electronic Devices Book , دستگاه های الکترونیکی GAN با فرکانس بالا دانلود , buy دستگاه های الکترونیکی GAN با فرکانس بالا , خرید کتاب دستگاه های الکترونیکی GAN با فرکانس بالا , دانلود کتاب High-Frequency GaN Electronic Devices , کتاب High-Frequency GaN Electronic Devices , دانلود High-Frequency GaN Electronic Devices , خرید High-Frequency GaN Electronic Devices , خرید کتاب High-Frequency GaN Electronic Devices ,
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.