دانلود کتاب 3D Integration of Resistive Switching Memory – ادغام سه بعدی حافظه سوئیچینگ مقاومتی

دسته بندی :
اطلاعات کتاب
  • جلد
  • سری Frontiers in Semiconductor Technology
  • ویرایش 1
  • سال 2023
  • نویسنده (گان) Qing Luo
  • ناشر CRC Press
  • زبان English
  • تعداد صفحات
  • حجم فایل 14.61MB
  • فرمت فایل pdf
  • شابک 103248943X, 9781032489438
قیمت محصول :

۴۵,۰۰۰ تومان

با خرید این محصول، ۲,۲۵۰ تومان به کیف پول شما بازگشت داده می‌شود

روند خرید و دریافت کتاب‌ها بدون هیچ اختلالی انجام می‌شود.
تمامی فایل‌ها بر روی سرورهای داخلی میزبانی می‌شوند تا بتوانید به راحتی و در لحظه آن‌ها را دانلود کنید. در صورت بروز هرگونه مشکل یا نیاز به راهنمایی، لطفاً از طریق « صفحه تماس باما» با تیم پشتیبانی در ارتباط باشید.

تمامی کتاب های موجود در وبسایت سای وان به زبان انگلیسی میباشد

توضیحات

This book offers a thorough exploration of the three-dimensional integration of resistive memory in all aspects, from the materials, devices, array-level issues, and integration structures, to its applications.

Resistive random-access memory (RRAM) is one of the most promising candidates for next-generation nonvolatile memory applications owing to its superior characteristics including simple structure, high switching speed, low power consumption, and compatibility with standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process. To achieve large-scale, high-density integration of RRAM, the 3D cross array is undoubtedly the ideal choice. This book introduces the 3D integration technology of RRAM, and breaks it down into five parts:
1: Associative Problems in Crossbar array and 3D architectures;
2: Selector Devices and Self-selective cells;
3: Integration of 3D RRAM;
4: Reliability Issues in 3D RRAM;
5: Applications of 3D RRAM Beyond Storage.

The book aspires to provide a relevant reference for students, researchers, engineers, and professionals working with resistive random-access memory or those interested in 3D integration technology in general.

————————————————————–

ترجمه ماشینی :

این کتاب کاوش کاملی از ادغام سه بعدی حافظه مقاومتی در همه جنبه‌ها، از مواد، دستگاه‌ها، مسائل سطح آرایه، و ساختارهای یکپارچه‌سازی تا کاربردهای آن ارائه می‌دهد.

حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی (RRAM) به دلیل ویژگی‌های برتر از جمله ساختار ساده، سرعت سوئیچ بالا، مصرف انرژی کم و سازگاری با حافظه‌های مکمل استاندارد، یکی از امیدوارکننده‌ترین نامزدها برای کاربردهای حافظه غیرفرار نسل بعدی است. فرآیند نیمه هادی اکسید فلز (CMOS). برای دستیابی به ادغام RRAM در مقیاس بزرگ و با چگالی بالا، آرایه متقاطع سه بعدی بدون شک انتخاب ایده آلی است. این کتاب فن‌آوری یکپارچه‌سازی سه بعدی RRAM را معرفی می‌کند و آن را به پنج بخش تقسیم می‌کند:
1: مسائل مرتبط در آرایه Crossbar و معماری‌های سه بعدی؛
2: دستگاه‌های انتخابگر و سلول‌های خود انتخابی.
3: یکپارچه سازی RRAM سه بعدی.
4: مسائل مربوط به قابلیت اطمینان در RRAM سه بعدی.
5: کاربردهای 3D RRAM فراتر از ذخیره سازی.

این کتاب در صدد است تا یک مرجع مرتبط برای دانشجویان، محققان، مهندسان و متخصصانی که با حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی کار می کنند یا علاقه مند به فناوری یکپارچه سازی سه بعدی در عمومی.


 

tag : دانلود کتاب ادغام سه بعدی حافظه سوئیچینگ مقاومتی , Download ادغام سه بعدی حافظه سوئیچینگ مقاومتی , دانلود ادغام سه بعدی حافظه سوئیچینگ مقاومتی , Download 3D Integration of Resistive Switching Memory Book , ادغام سه بعدی حافظه سوئیچینگ مقاومتی دانلود , buy ادغام سه بعدی حافظه سوئیچینگ مقاومتی , خرید کتاب ادغام سه بعدی حافظه سوئیچینگ مقاومتی , دانلود کتاب 3D Integration of Resistive Switching Memory , کتاب 3D Integration of Resistive Switching Memory , دانلود 3D Integration of Resistive Switching Memory , خرید 3D Integration of Resistive Switching Memory , خرید کتاب 3D Integration of Resistive Switching Memory ,

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “دانلود کتاب 3D Integration of Resistive Switching Memory – ادغام سه بعدی حافظه سوئیچینگ مقاومتی”