دانلود کتاب MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures – رشد MOCVD ساختارهای ترانزیستور تحرک الکترونیکی بالا مبتنی بر GAN

دسته بندی :
اطلاعات کتاب
  • جلد
  • سری Linko╠êping studies in science and technology. Dissertations ; Number 1662.
  • ویرایش
  • سال 2015
  • نویسنده (گان) Chen, Jr-Tai
  • ناشر Linko╠êping University
  • زبان English
  • تعداد صفحات 81
  • حجم فایل 8.64MB
  • فرمت فایل pdf
  • شابک 9789175190730, 9175190737
قیمت محصول :

۴۵,۰۰۰ تومان

با خرید این محصول، ۲,۲۵۰ تومان به کیف پول شما بازگشت داده می‌شود

روند خرید و دریافت کتاب‌ها بدون هیچ اختلالی انجام می‌شود.
تمامی فایل‌ها بر روی سرورهای داخلی میزبانی می‌شوند تا بتوانید به راحتی و در لحظه آن‌ها را دانلود کنید. در صورت بروز هرگونه مشکل یا نیاز به راهنمایی، لطفاً از طریق « صفحه تماس باما» با تیم پشتیبانی در ارتباط باشید.

تمامی کتاب های موجود در وبسایت سای وان به زبان انگلیسی میباشد

توضیحات

N

————————————————————–

ترجمه ماشینی :

n


 

tag : دانلود کتاب رشد MOCVD ساختارهای ترانزیستور تحرک الکترونیکی بالا مبتنی بر GAN , Download رشد MOCVD ساختارهای ترانزیستور تحرک الکترونیکی بالا مبتنی بر GAN , دانلود رشد MOCVD ساختارهای ترانزیستور تحرک الکترونیکی بالا مبتنی بر GAN , Download MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures Book , رشد MOCVD ساختارهای ترانزیستور تحرک الکترونیکی بالا مبتنی بر GAN دانلود , buy رشد MOCVD ساختارهای ترانزیستور تحرک الکترونیکی بالا مبتنی بر GAN , خرید کتاب رشد MOCVD ساختارهای ترانزیستور تحرک الکترونیکی بالا مبتنی بر GAN , دانلود کتاب MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures , کتاب MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures , دانلود MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures , خرید MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures , خرید کتاب MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures ,

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “دانلود کتاب MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures – رشد MOCVD ساختارهای ترانزیستور تحرک الکترونیکی بالا مبتنی بر GAN”